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非晶铟镓锌氧薄膜晶体管反相器稳定性提升的电路设计
器件物理及器件制备 | 更新时间：2024-09-10
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    • 非晶铟镓锌氧薄膜晶体管反相器稳定性提升的电路设计

    • Improving circuit design for the stability of inverters based on amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistors

    • “在显示技术领域，研究人员基于实验数据建立了非晶铟镓锌氧TFT器件仿真模型，提出了改进型反相器电路，显著提升了速度稳定性。”
    • 液晶与显示   2024年39卷第9期 页码：1182-1191

    • DOI：10.37188/CJLCD.2024-0177    

      中图分类号： TN321+.5

    • 收稿日期：2024-06-18，

      修回日期：2024-07-25，

      纸质出版日期：2024-09-05

    移动端阅览

  • 江舒, 张天昊, 魏晓敏, 等. 非晶铟镓锌氧薄膜晶体管反相器稳定性提升的电路设计[J]. 液晶与显示, 2024,39(9):1182-1191. DOI： 10.37188/CJLCD.2024-0177.

    JIANG Shu, ZHANG Tianhao, WEI Xiaomin, et al. Improving circuit design for the stability of inverters based on amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistors[J]. Chinese journal of liquid crystals and displays, 2024, 39(9): 1182-1191. DOI： 10.37188/CJLCD.2024-0177.

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