您当前的位置：
首页 >
文章列表页 >
非晶铟镓锌氧薄膜晶体管反相器稳定性提升的电路设计
器件物理及器件制备 | 更新时间：2024-09-10
|

    • 非晶铟镓锌氧薄膜晶体管反相器稳定性提升的电路设计

    • Improving circuit design for the stability of inverters based on amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistors

    • “在显示技术领域，研究人员基于实验数据建立了非晶铟镓锌氧TFT器件仿真模型，提出了改进型反相器电路，显著提升了速度稳定性。”
    • 液晶与显示   2024年39卷第9期 页码：1182-1191

    • DOI：10.37188/CJLCD.2024-0177    

      中图分类号： TN321+.5

    • 纸质出版日期：2024-09-05，

      收稿日期：2024-06-18，

      修回日期：2024-07-25，

    移动端阅览

  • 江舒, 张天昊, 魏晓敏, 等. 非晶铟镓锌氧薄膜晶体管反相器稳定性提升的电路设计[J]. 液晶与显示, 2024,39(9):1182-1191. DOI： 10.37188/CJLCD.2024-0177.

    JIANG Shu, ZHANG Tianhao, WEI Xiaomin, et al. Improving circuit design for the stability of inverters based on amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistors[J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays, 2024,39(9):1182-1191. DOI： 10.37188/CJLCD.2024-0177.

  •  
  •  

0

浏览量

7

下载量

0

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

相关文章

晶态IGZO薄膜晶体管的研究进展
钙钛矿量子点玻璃背光应用
溅射功率对钨掺杂ZnO薄膜晶体管性能的影响
聚合物钝化钙钛矿量子点的红光放大自发辐射性能

相关作者

姜柏齐
刘斌
刘贤文
张硕
翁乐
史大为
郭建
苏顺康

相关机构

北京理工大学 光电学院， 北京市混合现实与先进显示技术工程研究中心
北京京东方显示技术有限公司
重庆京东方显示技术有限公司
福建师范大学 物理与能源学院
吉林建筑大学 寒地建筑综合节能教育部重点实验室
0