在镜像投影曝光机上使用相移掩膜提高解像力的初步研究

黎午升; 惠官宝; 崔承镇; 史大为; 郭建; 孙双; 薛建设

doi:null

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

在镜像投影曝光机上使用相移掩膜提高解像力的初步研究

器件物理及器件制备技术 | 更新时间：2020-08-12

- 在镜像投影曝光机上使用相移掩膜提高解像力的初步研究
- Preliminary study on improving resolution on mirror projection mask aligner with phase shift mask
- 液晶与显示 2014年29卷第4期页码：544-547
- 作者机构：
  
  1. 京东方科技集团 TFT-LCD技术研发中心北京,100176
  2. 北京京东方光电科技有限公司北京,100176
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家高技术研究发展计划（863计划）项目（No. 2014AA032701）()
- DOI：
  中图分类号： TN141.9
- 收稿日期：2013-08-06，
  
  修回日期：2013-10-12，
  
  网络出版日期：2013-11-01，
  
  纸质出版日期：2014-08-05
- 稿件说明：
移动端阅览
黎午升, 惠官宝, 崔承镇, 史大为, 郭建, 孙双, 薛建设. 在镜像投影曝光机上使用相移掩膜提高解像力的初步研究[J]. 液晶与显示, 2014,29(4): 544-547

LI Wu-sheng, HUI Guan-bao, CHOI Seung-jin, SHI Da-wei, GUO Jian, SUN Shuang, XUE Jian-she. Preliminary study on improving resolution on mirror projection mask aligner with phase shift mask[J]. , 2014,29(4): 544-547
黎午升, 惠官宝, 崔承镇, 史大为, 郭建, 孙双, 薛建设. 在镜像投影曝光机上使用相移掩膜提高解像力的初步研究[J]. 液晶与显示, 2014,29(4): 544-547 DOI：

LI Wu-sheng, HUI Guan-bao, CHOI Seung-jin, SHI Da-wei, GUO Jian, SUN Shuang, XUE Jian-she. Preliminary study on improving resolution on mirror projection mask aligner with phase shift mask[J]. , 2014,29(4): 544-547 DOI：

摘要

实现高PPI（单位面积像素个数），需要更细的线宽和更窄的间距，这往往受到光刻设备解像力的限制，本文对基于不改造镜像投影曝光设备而提高光刻解像力进行研究。用半导体工艺模拟以及器件模拟软件模拟分析了离焦量为0时，相位移掩膜和传统掩膜下2.5 m等间隔线的光强分布。根据设备参数模拟分析离焦量为15、30 m时通过掩膜得到的光刻间距情况，最后，实际比较测量了相同条件下各自曝光剂量范围和切面坡度角。实验结果表明：相位移掩膜能使镜像投影曝光机分辨力以下间距（线宽）的工艺容限增大1倍，并使相应曝光量下间距（线宽）的分布更集中，从而增加细线化的稳定性。使用相位移掩膜能提高镜像投影曝光机的解像力。

Abstract

Realizing high PPI (Pixel Per Inch) requires finer line width and spacing

but it is difficult because of the restrictions of resolution of MPA (Mirror Projection mask Aligner) exposure equipment

so improvement of photolithographic resolution based on no modification of MPA exposure equipment is investigated. First

we compared the intensity distributions results of equidistant lines (2.5 m) of the conventional binary mask and PSM (phase shift mask) when defocus is zero by software simulation

then defocus dependency is obtained by simulation analysis according to the MPA equipment parameter. Finally

exposure latitude and SEM profile of the conventional binary mask and PSM in the same condition was compared. Experimental results indicate that PSM can double the process margin of the space or line beyond MPA resolution

and make the CD(critical dimension) distribution more concentrated and increase the stability of the fine line. Thus it concluded that lithography resolution of MPA can be improved by PSM.

关键词

Keywords

references

Levenson M D,Viswanatha N S,Simpson R A. Improving resolution in photolithography with a phase-shifting mask [J]. IEEE Transaction on Electron Devices,1982,ED-29(12):1828-1836.[2] 童志义. 国外光刻制版设备发展动态(续)[J]. 半导体技术,1993,4:33-34. Tong Z Y. Foreign photolithographic equipment developments (continued) [J]. Semiconductor Technology,1993,4:33-34. (in Chinese)[3] 罗先刚,姚汉民,周冲喜,等. 可提高光刻分辨率的新技术[J]. 光学学报,2000,29(9):834-837. Luo X G,Yao H M,Zhou C X,et al. New technology which can improve lithography resolution [J]. Acta Photonica Sinica,2000,29(9):834-837. (in Chinese)[4] 冯伯儒,陈宝钦. 边缘相移掩模技术[J]. 光电工程,1997,24:12-17. Feng B R,Chen B Q. Edge phase shift mask technology [J]. Opto-Electronic Engineering,1997,24:12-17. (in Chinese)[5] 冯伯儒,陈宝钦. 无铬相移掩模技术[J]. 光学学报,1995,25(4):328-332. Feng B R,Chen B Q. Chromium-free phase shift mask technology [J]. Acta Photonica Sinica,1995,25(4):328-332. (in Chinese)[6] 周崇喜,冯伯儒,侯德胜,等. 用于0.35 μm接触孔图形相移掩膜研究[J]. 光学学报,2000,20(4):543-547. Zhou C X,Feng B R,Hou D S,et al. Phase shifting mask for 0.35 μm contact holes [J]. Acta Photonica Sinica,2000,20(4):543-547. (in Chinese)[7] 阮刚,庞海舟,冒慧敏. 集成电路工艺模拟软件SSUPREM4的校验[J]. 电子学报,1999,27(8):1-6. Ruan G,Pang H Z,Mao H M. The check of Integrated circuit process simulation software SSUPREM4 [J]. Acta Electronica Sinica,1999,27(8):1-6. (in Chinese)[8] 周伟峰,薛建设,金基用,等. 不同狭缝与遮挡条设计对TFT特性的影响与规律[J]. 液晶与显示,2011,26(2):165-169. Zhou W F,Xue J S,Kim K Y,et al. Effect and regularity of different Slit&Bar design on TFT characteristics [J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,2011,26(2):165-169. (in Chinese)[9] 田铁印,王红,吴国栋. 杂光对三线阵相机光学系统成像的影响[J]. 液晶与显示,2012,27(6):847-851. Tian T Y,Wang H,Wu G D. Impact of stray light on image of three line array camera [J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,2012,27(6):847-851. (in Chinese)[10] 孙辉.相位相关技术实现离焦模糊图像运动估计[J]. 液晶与显示,2012,27(2):223-228. Sun H. Estimation of displacement for out-of-focus blurred image using phase-only correlation [J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,2012,27(2):223-228.(in Chinese)

浏览量

176

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

5寸车载高亮模组散热分析与应用

混合扭曲向列相模式的液晶盒参数对硅基液晶显示器的影响

利用LCD Master软件模拟预倾角对LCD性能的影响

基于重压法的Touch Mura形变过程模拟