多层氧化物复合阴极透明OLED器件

梁田静; 张方辉; 丁磊

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多层氧化物复合阴极透明OLED器件

器件物理及器件制备技术 | 更新时间：2020-08-12

- 多层氧化物复合阴极透明OLED器件
- Transparent Organic Light Emitting Diodes Using a Multilayer Oxide as a Composite Cathode
- 液晶与显示 2012年27卷第1期页码：43-46
- 作者机构：
  
  陕西科技大学电气与信息工程学院,陕西西安,710021
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(No.61076066)();陕西科技大学博士基金(No. BJ09-07)();陕西科技大学自然科学基金 (No.ZX09-31)()
- DOI：
  中图分类号： TN383+.1
- 收稿日期：2011-08-10，
  
  修回日期：2011-09-06，
  
  网络出版日期：2012-02-15，
  
  纸质出版日期：2012-02-15
- 稿件说明：
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梁田静, 张方辉, 丁磊. 多层氧化物复合阴极透明OLED器件[J]. 液晶与显示, 2012,27(1): 43-46

LIANG Tian-jing, ZHANG Fang-hai, DING Lei. Transparent Organic Light Emitting Diodes Using a Multilayer Oxide as a Composite Cathode[J]. , 2012,27(1): 43-46
梁田静, 张方辉, 丁磊. 多层氧化物复合阴极透明OLED器件[J]. 液晶与显示, 2012,27(1): 43-46 DOI：

LIANG Tian-jing, ZHANG Fang-hai, DING Lei. Transparent Organic Light Emitting Diodes Using a Multilayer Oxide as a Composite Cathode[J]. , 2012,27(1): 43-46 DOI：

摘要

制备了一种采用多层氧化物复合阴极的透明OLED

器件结构为:ITO/ MoO

(10 nm) /NPB(60 nm)/Alq

(65 nm)/ Al(1 nm)/ MoO

(1 nm)/Al(

nm) /MoO

(30 nm)。所采用的复合阴极结构为MoO

/Al/ MoO

(MAM)

同时在复合阴极(MAM)与电子传输层(Alq

)中间插入一层厚度为1 nm的Al中间层

该薄Al层一方面提高了电极与有机层间界面的平整度

同时增强了电极的导电性;另一方面

在电子传输层与中间层Al薄膜之间形成了良好的欧姆接触

提高了电子的注入能力。改变MAM结构中Al的厚度

获得该透明OLEDs的最佳性能

在Al的厚度为18 nm时器件亮度最高

为2 297 cd/cm

。

Abstract

Transparent organic light emitting diodes are developed by using a multilayer oxide as a composite cathode. The device structure is ITO/ MoO

(10 nm)/NPB(60 nm)/Alq

(65 nm)/Al(1 nm)/MoO

(1 nm)/Al(

nm) /MoO

(30 nm). The composite cathode is MoO

/Al/MoO

(MAM). A thin Al layer (1 nm) was introduced as an interlayer between the Alq

electron transport layer and the MAM electrode. On the one hand

the thin Al layer improves the interface flatness between electrode and organic layers

while improving the conductivity of the electrode. On the other hand

electron injection was greatly improved by forming an Ohmic contact between the electron transport layer and a thin Al layer. Then the OLEDs optimum performance is obtained by changing the thickness of Al in MAM. With the Al thickness of 18 nm

the highest brightness 2 297cd/cm

is obtained.

关键词

Keywords

references

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