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钝化层沉积工艺对过孔尺寸减小的研究
器件物理及器件制备技术 | 更新时间:2020-08-12
    • 钝化层沉积工艺对过孔尺寸减小的研究

    • Improvement Research of VIA Hole Minimize by Passivation Layer Deposit Conditions

    • 液晶与显示   2012年27卷第4期 页码:493-498
    • 中图分类号: TN141.9
    • 收稿日期:2012-02-14

      修回日期:2012-05-17

      网络出版日期:2012-08-15

      纸质出版日期:2012-08-15

    移动端阅览

  • 李田生, 谢振宇, 张文余, 阎长江, 徐少颖, 陈旭, 闵泰烨, 苏顺康. 钝化层沉积工艺对过孔尺寸减小的研究[J]. 液晶与显示, 2012,(4): 493-498 DOI:

    LI Tian-sheng, XIE Zhen-yu, ZHANG Wen-yu, YAN Chang-jiang, XU Shao-ying, CHEN Xu, MIN Tai-ye, SU Shun-kang. Improvement Research of VIA Hole Minimize by Passivation Layer Deposit Conditions[J]. , 2012,(4): 493-498 DOI:

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相关作者

张学智
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相关机构

北京京东方光电科技有限公司, 北京 100176
西安交通大学 电子信息学部
晋江市博感电子科技有限公司
中国福建光电信息科学与技术创新实验室
福州大学 物理与信息工程学院
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