增强型等离子体耦合干法刻蚀条件对PR胶灰化的影响

王亮; 王文青; 李鑫; 吴成龙; 郑云友; 宋泳珍; 李伟; 李正勳

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增强型等离子体耦合干法刻蚀条件对PR胶灰化的影响

器件驱动与控制 | 更新时间：2020-08-12

- 增强型等离子体耦合干法刻蚀条件对PR胶灰化的影响
- Effects of PR Ashing in Process of Enhanced Capacitive Coupled Plasma Etch
- 液晶与显示 2012年27卷第2期页码：204-207
- 作者机构：
  
  北京京东方显示技术有限公司北京,100176
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿日期：2011-12-13，
  
  修回日期：2012-01-10，
  
  网络出版日期：2012-04-15，
  
  纸质出版日期：2012-04-15
- 稿件说明：
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王亮, 王文青, 李鑫, 吴成龙, 郑云友, 宋泳珍, 李伟, 李正勳. 增强型等离子体耦合干法刻蚀条件对PR胶灰化的影响[J]. 液晶与显示, 2012,(2): 204-207

WANG Liang, WANG Wen-qing, LI Xin, WU Cheng-long, ZHENG Yun-you, SONG Yong-zhen, LI Wei, LI Zheng-xun. Effects of PR Ashing in Process of Enhanced Capacitive Coupled Plasma Etch[J]. , 2012,(2): 204-207
王亮, 王文青, 李鑫, 吴成龙, 郑云友, 宋泳珍, 李伟, 李正勳. 增强型等离子体耦合干法刻蚀条件对PR胶灰化的影响[J]. 液晶与显示, 2012,(2): 204-207 DOI：

WANG Liang, WANG Wen-qing, LI Xin, WU Cheng-long, ZHENG Yun-you, SONG Yong-zhen, LI Wei, LI Zheng-xun. Effects of PR Ashing in Process of Enhanced Capacitive Coupled Plasma Etch[J]. , 2012,(2): 204-207 DOI：

摘要

通过改变压力、O

和SF

的流量研究干法刻蚀增强型阴极等离子耦合模式下对PR胶灰化速率、均匀性、

H/V

比值的影响。研究结果表明:在一定范围内随着压力的不断增大

PR的刻蚀速率逐渐增大

同时刻蚀的均匀性也逐渐变好

H/V

逐渐变大;增加单组分SF

流量时刻蚀率和

H/V

比值均先增大后减小

而刻蚀均匀度数值有先减小后增大的趋势;增加单组分O

流量时PR灰化速率变化不明显

但刻蚀的均匀性逐渐变好

H/V

比值先增大后减小;当O

和SF

的流量比例不变时

同时增加O

和SF

流量

PR灰化速率会先增加后减小

均匀性数值和

H/V

比值先减小后增大。

Abstract

The effects on the PR ashing rate

uniformity and

H/V

ratio were researched in process of ECCP dry etch model when the gas flow rate and pressure changed. The results show that PR ashing rate and the value of

H/V

would enlarge with the increasing pressure in a certain range. At the same time the uniformity also gradually changed for the better. The ashing rate would first increase and then decrease when the SF

flow rate increased. But in this time the value of

H/V

had one contrary law. The PR ashing rate did not change significantly but the value of uniformity became smaller gradually when increased the O

flow rate only. When the flow rate of SF

and O

increased but had one constant low proportion

the etching rate of PR increased first and then decreased

the uniformity and

H/V

ratio had one opposite change.

关键词

Keywords

references

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