全丝印后栅CNT-FED仿真及器件研究

杨 雄; 胡利勤; 吴朝兴; 陈 勇; 林志龙; 郭太良

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全丝印后栅CNT-FED仿真及器件研究

器件制备技术及器件物理 | 更新时间：2020-08-12

- 全丝印后栅CNT-FED仿真及器件研究
- Simulation and Study of Under-Gate CNT-FED Via Screen Printing
- 液晶与显示 2010年25卷第2期页码：196-199
- 作者机构：
  
  福州大学物理与信息工程学院,福建福州 350002,E-mail:yangxiong921@163.com
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN873+.95
- 收稿日期：2009-09-08，
  
  修回日期：1900-01-02，
  
  网络出版日期：2010-04-30，
  
  纸质出版日期：2010-04-30
- 稿件说明：
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杨雄;胡利勤;吴朝兴;陈勇;林志龙;郭太良. 全丝印后栅CNT-FED仿真及器件研究[J]. 液晶与显示, 2010,25(2): 196-199

YANG Xiong;HU Li-qin;WU Chao-xing;CHEN Yong;LIN Zhi-long;GUO Tai-liang. Simulation and Study of Under-Gate CNT-FED Via Screen Printing[J]. 液晶与显示, 2010,25(2): 196-199
杨雄;胡利勤;吴朝兴;陈勇;林志龙;郭太良. 全丝印后栅CNT-FED仿真及器件研究[J]. 液晶与显示, 2010,25(2): 196-199 DOI：

YANG Xiong;HU Li-qin;WU Chao-xing;CHEN Yong;LIN Zhi-long;GUO Tai-liang. Simulation and Study of Under-Gate CNT-FED Via Screen Printing[J]. 液晶与显示, 2010,25(2): 196-199 DOI：

摘要

模拟并制作了一种基于丝网印刷技术的后栅结构碳纳米管场发射显示器。采用有限元分析软件ANSYS对器件进行了电场模拟

优化了阴极宽度、阴极厚度、阴极间隙、介质层厚度等结构参数。取最优参数制作了像素为3030

发光面积为54 mm54 mm的单色显示屏。在阳压为1 500 V、栅压为300 V时

器件发射电流密度达到5 A/cm

。该器件制作成本低

稳定性和均匀性良好

可矩阵寻址实现字符显示。

Abstract

A screen printed under-gate triode structure device with carbon nanotube field emitters is studied and produced. The electric-field of the cathode is simulated by using the software of ANSYS and produced with the best parameters. The pixels of the device are 3030 and the display area is 54 mm 54 mm. The currents density achieved 5 A/cm

when the anode voltage was 1 500 V and gate voltages was 300 V.The device has low production cost

a good stability and uniformity

and can be matrix-addressable to display words and pictures.

关键词

Keywords

references

. 林志贤,徐胜,郭太良.大屏幕低逸出功印刷型VGA级FED显示系统的研制 [J]. 液晶与显示, 2008,23(1):58-62.

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