一种基于控制PTAT电流的温度系数可调带隙基准源

仇 岩; 魏廷存; 王 佳; 郑 然

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一种基于控制PTAT电流的温度系数可调带隙基准源

器件驱动与控制 | 更新时间：2020-08-12

- 一种基于控制PTAT电流的温度系数可调带隙基准源
- Bandgap Reference with Adjustable Temperature Coefficient Based on Controlling PTAT Current
- 液晶与显示 2010年25卷第1期页码：105-109
- 作者机构：
  
  西北工业大学计算机学院, 陕西西安 710072,E-mail: qiuyanbest@gmail.com
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN432
- 收稿日期：2009-07-17，
  
  修回日期：1900-01-02，
  
  网络出版日期：2010-02-20，
  
  纸质出版日期：2010-02-20
- 稿件说明：
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仇岩;魏廷存;王佳;郑然. 一种基于控制PTAT电流的温度系数可调带隙基准源[J]. 液晶与显示, 2010,25(1): 105-109

QIU Yan;WEI Ting-cun;WANG Jia;ZHENG Ran. Bandgap Reference with Adjustable Temperature Coefficient Based on Controlling PTAT Current[J]. 液晶与显示, 2010,25(1): 105-109
仇岩;魏廷存;王佳;郑然. 一种基于控制PTAT电流的温度系数可调带隙基准源[J]. 液晶与显示, 2010,25(1): 105-109 DOI：

QIU Yan;WEI Ting-cun;WANG Jia;ZHENG Ran. Bandgap Reference with Adjustable Temperature Coefficient Based on Controlling PTAT Current[J]. 液晶与显示, 2010,25(1): 105-109 DOI：

摘要

设计了一种温度系数可调的带隙基准源

利用控制PTAT电流的大小产生具有不同温度系数的基准电压

仅采用两个双极型晶体管

具有较好的电源噪声抑制特性。与传统方法相比

简化了电路结构

减小了占用芯片面积

改善了版图设计的对称性。该电路在更宽的调节范围内

通过4位控制信号可实现16级的温度系数调节

同时通过设计专门电路提高了电源噪声抑制比。采用0.35 m CMOS工艺实现了该带隙基准源。仿真结果表明

基准电压的温度系数可在-1.76~+1.84 mV/℃范围内进行调节

低频时基准电压的PSRR达到-110 dB。

Abstract

A bandgap reference (BGR) with adjustable temperature coefficient was designed. By controlling PTAT current

the temperature coefficient of reference voltage can be adjusted from positive to negative. Compared to traditional method

a two-bipolar transistor structure is adopted which could reduce the circuit area in chip and improve the layout symmetry. Furthermore

an OPAMP circuit was designed to improve the PSRR. The reference voltage could be adjusted in a wider adjustment with 16 levels. Implemented with 0.35 m CMOS process

the Hspice simulation results showed that the temperature coefficient can be adjusted from -1.76 mV/℃ to +1.84 mV/℃ and the PSRR of the reference voltage reaches -110 dB at low frequency.

关键词

Keywords

references

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