使用低电阻金属铝制造薄膜晶体管阵列信号电极

刘 翔; 陈 旭; 谢振宇; 高浩然; 王 威

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使用低电阻金属铝制造薄膜晶体管阵列信号电极

器件制备技术及器件物理 | 更新时间：2020-08-12

- 使用低电阻金属铝制造薄膜晶体管阵列信号电极
- Low Resistant Metal for Thin Film Transistors
- 液晶与显示 2009年24卷第4期页码：533-536
- 作者机构：
  
  北京京东方光电科技有限公司,北京 100176, E-mail:skeyapple @126.com
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN321+.5
- 收稿日期：2009-01-19，
  
  修回日期：1900-01-02，
  
  网络出版日期：2009-08-30，
  
  纸质出版日期：2009-08-30
- 稿件说明：
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刘翔;陈旭;谢振宇;高浩然;王威. 使用低电阻金属铝制造薄膜晶体管阵列信号电极[J]. 液晶与显示, 2009,24(04): 533-536

LIU Xiang;CHEN Xu;XIE Zhen-yu;GAO Hao-ran;WANG Wei. Low Resistant Metal for Thin Film Transistors[J]. 液晶与显示, 2009,24(04): 533-536
刘翔;陈旭;谢振宇;高浩然;王威. 使用低电阻金属铝制造薄膜晶体管阵列信号电极[J]. 液晶与显示, 2009,24(04): 533-536 DOI：

LIU Xiang;CHEN Xu;XIE Zhen-yu;GAO Hao-ran;WANG Wei. Low Resistant Metal for Thin Film Transistors[J]. 液晶与显示, 2009,24(04): 533-536 DOI：

摘要

金属电阻是影响大尺寸TFT-LCD信号延迟的关键因素。研究了利用低电阻率金属Al制作大尺寸TFT阵列信号线的生产工艺

发现在完成有源半导体层刻蚀后残留的少量Cl

会在后续工艺中对金属Al造成腐蚀

严重地影响了产品的性能。通过优化刻蚀工艺

采用活性更高的SF

去除刻蚀有源半导体层时残留的少量Cl

避免了金属Al腐蚀的发生。

Abstract

Low resistant metal is one of key factors in delay-time of large TFT-LCD. In this article low resistant metal aluminum has been investigated. After a-Si island etch process

it is found that remained Cl

had eroded aluminum. This has severity influence on products. By optimizing the etch process

more active SF

can remove remained Cl

in a-Si island etch process. So aluminum erodibility can be avoided.

关键词

Keywords

references

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