点阵阴极寻址型三极场发射器件的制作

靳孝峰; 张 琦; 李玉魁; 武 超

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点阵阴极寻址型三极场发射器件的制作

器件制备技术及器件物理 | 更新时间：2020-08-12

- 点阵阴极寻址型三极场发射器件的制作
- Fabrication of Triode Field Emission Display with Dot-Matrix Addressing Structure
- 液晶与显示 2009年24卷第4期页码：518-521
- 作者机构：
  
  1. 中原工学院电子信息学院,河南郑州,450007
  2. 焦作大学机电学院,河南焦作,454100
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN873+.95
- 收稿日期：2008-12-02，
  
  修回日期：1900-01-02，
  
  网络出版日期：2009-08-30，
  
  纸质出版日期：2009-08-30
- 稿件说明：
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靳孝峰;张琦;李玉魁;武超. 点阵阴极寻址型三极场发射器件的制作[J]. 液晶与显示, 2009,24(04): 518-521

JIN Xiao-feng;ZHANG Qi;LI Yu-kui;WU Chao. Fabrication of Triode Field Emission Display with Dot-Matrix Addressing Structure[J]. 液晶与显示, 2009,24(04): 518-521
靳孝峰;张琦;李玉魁;武超. 点阵阴极寻址型三极场发射器件的制作[J]. 液晶与显示, 2009,24(04): 518-521 DOI：

JIN Xiao-feng;ZHANG Qi;LI Yu-kui;WU Chao. Fabrication of Triode Field Emission Display with Dot-Matrix Addressing Structure[J]. 液晶与显示, 2009,24(04): 518-521 DOI：

摘要

结合丝网印刷工艺

通过制备绝缘层和布线层的层叠式

在玻璃基底上实现了大面积的点阵阴极寻址结构。应用碳纳米管作为阴极材料

研发了三极结构的场致发射平板显示器件样品。通过点阵阴极寻址结构

可直接对发光像素进行逐点控制

从而实现整体器件的图像显示。该器件可与现有的驱动集成电路相结合进行控制

具备良好的场致发射特性和高的显示亮度。

Abstract

Using the screen-printing process

the large-area dot-matrix cathode addressing structure was implemented on the glass substrate with the stack type for the preparation of insulating layer and wiring layer. The triode field emission display (FED) sample was developed with carbon nanotubes as cathode materials. With the dot-matrix cathode addressing structure

the lightening-pixel could be point-to-point controlled directly

and the better image display was confirmed for the whole device. The FED could be controlled by the existing drive integrated circuit

and possessed better field emission characteristics and high display brightness.

关键词

Keywords

references

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