“[{"title":"面向量子点电致发光二极管的蓝光InP和ZnSe量子点研究现状","chapter":"1 引言","content":"作为信息展现载体，显示设备在生产生活中扮演着极其重要的角色，科学技术的不断进步推动着显示设备的迅速升级和发展，研发高质量显示器的重要性不言而喻［1］。显示设备的发展经历了数个阶段，从最初的阴极射线管显示器（Cathode Ray Tube，CRT）逐步发展到液晶显示器（Liquid Crystal Display，LCD），再到近些年占据大量市场份额的有机发光二极管显示器（Organic Light-Emitting Diodes，OLED），每一次的进步都代表着光电材料领域的新突破，可以说，显示器的发展史同样是材料的发展史［2］。历经数十年发展，LCD和OLED均已实现规模化商业应用，但仍面临以下难题亟待解决：LCD显示器存在结构复杂、功耗高、对比度差、发光强度低等缺点［3］；OLED显示器以有机材料作为发光源，其发光寿命和发光稳定性会受到环境较大的影响，且色域只能达到BT 2020标准的70%左右［4］。而量子点发光二极管（Quantum Dot Light-Emitting Diodes，QLED）新型显示技术可有效解决以上难题以更好地满足市场对高质量显示器的需求。量子点又被称为纳米晶，是由几百到数万个原子组成的一种纳米材料，尺寸一般介于2~10 nm之间［5］。不同于块体材料所具有的连续导带和价带，当纳米量子点的粒径小于或接近于其激子波尔半径时，电子波函数的运动将会受到限制从而产生量子限域效应，该效应导致原本连续的导带和价带能级分立同时伴随着带隙展宽，从而表现出与块体材料不同的光电性质［6］。通过控制反应条件改变量子点尺寸可以获得不同发射波长的量子点材料，量子点所具有的发光波长连续可调、荧光量子产率高和最大半峰全宽窄等诸多优点，为QLED器件在发光显示领域奠定了重要基础，并有望生产出前所未有的宽色域、高色准、大面积的高质量显示器［7-9］。电致发光量子点发光二极管（QLED）是一种以量子点作为直接发光源的光电器件，与LCD和OLED相比，其具有显色精准、色域面积广、寿命长、光电转换效率高、产热量低及工作稳定等一系列优点［10-14］。通过提升发光层材料性能和优化器件结构，以镉基量子点材料制备的红光、绿光和蓝光QLED器件可分别达到20.5%、22.9%和19.8%的外量子效率（External Quantum Efficiency，EQE），同时具有超高的电致发光亮度，其中红光、绿光和蓝光QLED的发光亮度分别为13 300 cd/m2、52 500 cd/m2和10 100 cd/m2［15-17］。当前性能最佳的蓝光量子点材料主要为镉基硫化物量子点和铅基钙钛矿型量子点，如CdSeS、ZnCdS以及CsPbBr3、CsPbCl3等。尽管上述材料有着亮眼的蓝光发射性能，但作为重金属有毒元素，镉和铅的化学毒性势必会对人类健康构成威胁甚至引发严重的环境污染问题。欧盟法规严格限制在消费级电子产品中使用重金属有毒元素［18-22］。研发优异发光性能且满足环保要求的蓝光量子点材料对促进QLED实现规模化商用起着至关重要的作用［23-26］。经过数十年发展，研究人员已经开发出多种环境友好型蓝光量子点材料，其中有代表性的当属ZnSe和InP。这两类量子点材料均可通过热注入法制备，在满足无镉无铅、环境友好的前提下，仍表现出优异的蓝光发射性能，被认为是镉、铅基量子点最有希望的替代者［27-29］。本文针对这两类蓝光量子点材料的研究近况进行了综述，并对蓝光量子点材料及其QLED电致发光器件未来的发展方向进行了展望。","result":"介绍了显示设备在信息展现中的重要性，以及显示技术从CRT到LCD再到OLED的发展历程。指出LCD和OLED存在的结构复杂、功耗高、对比度差、发光强度低和发光寿命短等问题。强调了量子点发光二极管（QLED）作为新型显示技术，具有显色精准、色域广、寿命长等优点，有望解决现有显示技术的问题。量子点材料的量子限域效应使其具有发光波长连续可调、荧光量子产率高等特性，为QLED提供了重要基础。镉基和铅基量子点材料虽然性能优异，但存在化学毒性问题。ZnSe和InP量子点作为环境友好型蓝光量子点材料，具有无镉无铅、优异蓝光发射性能等优点，被认为是理想的替代材料。本文综述了ZnSe和InP量子点的研究现状，并展望了蓝光量子点材料及其QLED器件的发展方向。","language":"zh"},{"title":"面向量子点电致发光二极管的蓝光InP和ZnSe量子点研究现状","chapter":"2 无镉无铅型蓝光量子点","content":"尽管镉基硫化物和铅基钙钛矿型蓝光量子点材料有着优异的光电性能，但镉和铅作为重金属有毒元素，在消费级显示设备中的大量使用难免会对人体健康构成威胁，甚至引发严重的环境污染问题。实现无毒无污染的高质量蓝光发射并最终实现QLED产业化是一项艰巨的挑战。针对环保型蓝光量子点材料的研究从未间断，过去的数年间，涌现出一批有着优良蓝光发射性能的量子点材料，如Ⅱ-Ⅵ族材料ZnSe和Ⅲ-Ⅴ族材料InP，这两类材料在满足无毒无污染的前提下，仍表现出较亮眼的蓝光发射性能以及作为蓝光QLED器件发光层的潜力。2.1　InP量子点InP因具有较宽的可调发光波长范围和低毒性而受到广泛关注，理论上通过控制InP量子点的尺寸便可使其发光峰在可见光范围内进行调节［30-31］。基于InP量子点制备的红光和绿光QLED器件具有优异的光电性能。Won等人报道了一种InP/ZnSe/ZnS双壳层结构红光量子点器件，EQE可达到21.4%，最大亮度超过100 000 cd/m2，在100 cd/m2的亮度下具有100万小时的发光寿命［32］。然而InP材料的本征带隙较窄（1.35 eV），其发光波长很难达到蓝光范围，除非将其粒径限制在1~2 nm内。精准控制InP量子点的粒径大小对热注入合成法来说仍是一项挑战，此外低毒性磷前驱体的种类较少、InP材料不稳定极易被氧化等原因也限制了单体InP作为高性能蓝光量子点材料的可行性。合成高质量蓝光InP量子点的路径主要分为两大方向：一是优化InP核的尺寸，随着InP尺寸的减小，其发光波长也逐渐蓝移从而获得蓝光发射；二是对InP量子点进行适当的壳层包覆，InP核包覆ZnS壳层不仅可以防止InP核被氧化，提高其稳定性，还能作为阻挡层抑制InP核的长大，达到小尺寸蓝光发射的目的，并降低非辐射荧光共振能量转移的概率进而提高量子效率。直接合成极小尺寸的InP量子点较为困难，通过改变InP的合成条件或向反应溶剂中添加辅助配体可以达到抑制量子点生长的效果。Xie等人通过调节pH和交换表面配体，在较低温度下制备出尺寸可控的水溶性InP/ZnS量子点，光致发光量子产率（Photoluminescence Quantum Yield，PLQY）可达到40%，最大半峰全宽（Full Width at Half Maximum，FWHM）为90 nm［33］。2012年Lim等人在130 ℃的反应温度下，利用反应前驱体中剩余的乙酸来调控InP量子点合成过程中的成核及生长过程，通过乙酸不停地“刻蚀”粒径较大的量子点，使得InP粒子尺寸始终保持在较小水平，随后进行ZnS壳层包覆，在保证蓝光发射的同时还合成出尺寸均匀的量子点，最终制得发光波长峰值为475 nm和FWHM为39 nm的InP/ZnS核壳量子点［34］。InP上包覆的ZnS能够作为阻挡层抑制InP核的长大，达到小尺寸蓝光发射目的［35］。Suh等人研究了一种新颖的ZnS包壳方式，如图1（a~e）所示，即在InP核形成之前预先在溶液中合成出少量“初始”ZnS壳，随着P前驱体注入反应溶液，In离子和P离子开始反应产生InP核，此时ZnS开始在新形成的InP表面迅速形成壳层来抑制核的过度生长，得到了粒径仅为1.8 nm的InP核。随后再继续添加Zn和S的前驱体增加ZnS壳层的厚度，制备的厚壳层InP/ZnS量子点实现了峰值为483 nm的天蓝色发光，并取得了52%的PLQY及49 nm的FWHM。最终以此量子点为发光源构筑了结构为ITO/PEDOT∶PSS/TFB/QDs/ZnMgO/Al的QLED器件，最大发光强度达到1 162 cd/m2，EQE为1.4%［36］。Zhang团队使用低毒廉价的（DMA）3P替代剧毒（TMS）3P，成功合成出发光波长峰值为468 nm且FWHM仅为47 nm的纯蓝光InP/ZnS量子点，PLQY达到45%。为进一步去除表面残余的硬脂酸锌配体，继续添加S前驱体，最终生成厚ZnS包覆的InP/ZnS/ZnS双壳层量子点，稳定性增加的同时QLED器件的EQE也得到大幅提高，达到1.7%，表明合适厚度的ZnS包覆可以有效增强InP的光电性能［37］。为进一步改善PLQY并缩窄FWHM，Yang小组采用两步加热法制备出了PLQY高达96%，FWHM仅为38 nm的InP/ZnS/ZnS量子点，如图1（f~j）所示，其过程为：首先在低温下制备出粒径极小且尺寸分布均匀的InP纳米簇，较低的温度能够保证InP不会过度生长，随后开始升温并补充In和P前驱体使得InP纳米簇逐渐生长，长大后的InP核仍然具有均匀的尺寸，这对FWHM缩窄有着较大帮助，接着继续升温包覆ZnS壳层，最终制得的QLED器件的电致发光峰位在472 nm处，FWHM为43 nm［38］。图1（a） 蓝色InPESC@ZnS量子点合成过程示意图；（b） InPESC@ZnS的器件结构示意图；（c） 对应的能带图；（d） 器件的电流密度-电压-亮度曲线；（e） 工作电压增加时QLED的发光光谱［36］；（f） 蓝色InP/ZnS/ZnS量子点合成示意图；（g） QLED能带图；（h） InP/ZnS/ZnS QD薄膜二次电子截止区和价带边缘区的UPS谱；（i） 归一化的PL光谱和EL光谱；（j） 电流密度和亮度随驱动电压变化特性［38］。Fig.1（a） Schematic illustration of synthetic procedure of blue InPESC@ZnS QDs；（b） Schematic of the InPESC@ZnS device structure；（c） Corresponding energy band diagram；（d） Current density-voltage-luminance curves of the device；（e） EL spectra of a QLED at increasing operating voltages［36］；（f） Schematic illustration of the synthesis of blue InP/ZnS/ZnS QDs；（g） Energy-band diagram of the QLED；（h） UPS spectra of secondary-electron cut-off regions and valence band edge regions for InP/ZnS/ZnS QD films；（i） Normalized EL and PL spectra；（j） Current density and luminance versus driving voltage characteristics［38］.利用卤素离子或金属离子也可以调控InP的成核及生长速率，进而获得尺寸理想的蓝光InP量子点。Huang等人通过引入铜离子来辅助合成小尺寸InP量子点，如图2（a）所示。铜离子与磷前驱体结合生成一种六方纳米晶Cu3-xP，从而达到与In离子竞争成核并抑制InP生长的目的，最终得到了发光波长为425 nm的InP/ZnS量子点［39］。Shen等人探究了InP的发光波长与溶液中碘离子和铟离子比例之间的关系，碘离子来自于先前加入的碘化锌前驱体，作为卤素离子，碘与溶液中的胺结合形成钝化剂吸附在InP量子点表面，进而抑制InP的过量生长，通过优化合适的I/In比例从而介导小尺寸InP量子点的形成，并连续多次包覆ZnS壳，得到了尺寸分布均匀、表面缺陷少且环境稳定性较高的蓝光InP/ZnS量子点，FWHM仅为44 nm，绝对PLQY高达76%。以此量子点制作了具有倒置结构的QLED器件，其中ITO作为阴极，CBP&MoO3复合材料作为空穴注入层和空穴传输层，该器件的电致发光峰在488 nm处，FWHM为45 nm，但最大电致发光强度仅有90 cd/m2［30］。图2（a） Cu辅助法制备蓝色InP/ZnS量子点示意图［39］；（b） InP/ZnS/ZnS量子点合成原理图；（c） QLED器件能带图；（d） 归一化的PL光谱和EL光谱；（e）电流密度-电压-亮度曲线；（f） 外量子效率-电流密度曲线［40］。Fig.2（a） Schematic synthesis of blue-emitting InP/ZnS QDs with Cu-assisted process［39］；（b） Schematic illustration for the synthesis of InP/ZnS/ZnS quantum dots；（c） Energy band diagram of the quantum dot light-emitting diodes；（d） Normalized PL and EL spectra；（e） Current density-voltage-luminance curves；（f） EQE-Current density curves［40］.Br离子有着比I离子更好的表面钝化能力，能够改善InP的表面缺陷，但通常在反应中途引入Br离子会导致水、氧进入反应体系中造成量子点PLQY的急剧下降。基于此，Zhang团队直接在反应初期引入Br离子，如图2（b~f）所示，使用ZnBr2替代ZnI2作为包壳的锌前驱体，合成出了Br离子钝化的量子点，同时Br离子有着比I离子更大的电负性，因此Br离子与量子点外表面的Zn离子结合的更加紧密，能够更有效地钝化表面Zn空位缺陷，减少电荷捕获效应，大幅提高PLQY，最终得到了发光波长为474 nm，PLQY高达93%的双壳层InP/ZnS/ZnS量子点，以该量子点制成的QLED器件具有2.9%的EQE［40］。在InP量子点表面包覆合适厚度的ZnS壳层，不仅能够提高InP量子点的PLQY和环境稳定性，还可以抑制小尺寸量子点间非辐射荧光共振能量转移现象。然而InP和ZnS二者之间存在较大的晶格失配（InP与ZnS之间的晶格失配约为7.85%），原因在于InP的晶体结构为闪锌矿型，晶格常数为0.586 nm，虽然ZnS同样是闪锌矿型晶体结构，但晶格常数为0.541 nm，二者之间相差较大的晶格常数导致晶格失配过大，此外，包覆过厚的ZnS壳层可能会导致InP内部晶格坍塌，进一步恶化晶格失配现象，同时在核壳界面处产生界面缺陷，造成光电激活能量损失，影响发光效率［41-42］。为减小晶格失配、降低界面缺陷对发光效率造成的影响，研究人员尝试构建InP基多壳层结构量子点［43］。InP作为发光核心，ZnS由于具有较宽的带隙和优异的稳定性被用作外壳层，中间层通常使用GaP。由于GaP也是闪锌矿型晶体结构，且晶格常数介于InP和ZnS之间，为0.544 nm，因此能够起到减小晶格失配（InP与GaP之间晶格失配约为6.8%）、提高发光效率的作用。Park等人通过在合成过程中加入十二硫醇（DDT）以控制InP量子点的生长尺寸，获得了具有最大50% PLQY的蓝光InP/GaP/ZnS量子点［42］。Zhang等人采用“低温成核，高温生长”法制备了厚壳层InP/GaP/ZnS蓝光量子点，如图3（a~c）所示，该量子点有着超高的环境稳定性和81%的PLQY，同时发现InP/GaP/ZnS量子点的PL光谱对称性要比无GaP内壳的InP/ZnS量子点更好，这与InP/ZnS界面处的界面缺陷减少有关，GaP桥接层的加入使得相邻层之间的晶格常数更加平衡，制成的QLED器件亮度达到3 120 cd/m2［9］。Lee课题组通过改变烷硫醇和脂肪酸中烃链长度来控制ZnS壳的反应动力学，合成出小尺寸的InP核，如图3（d~h）所示。具有短烃链的烷硫醇迅速形成ZnS壳并阻止InP核的生长，进而合成出小尺寸的InP核。此外，改变脂肪酸中烃链长度可以降低InP核成核动力学，从而获得短波长发射的量子点。所制备InP/GaP/ZnS量子点的光致发光峰为485 nm，FWHM为52 nm，PLQY达到45%，以该量子点作为发光层制备的蓝光QLED器件峰值亮度为1 045 cd/m2［44］。图3（a） InP、GaP和ZnS的能级以及它们之间的晶格失配及InP/GaP/ZnS//ZnS量子点的合成过程；（b） QLED各层材料能带图；（c） 器件在不同电压下的电致发光光谱和高亮度发光［9］；（d） InP/GaP/ZnS反应示意图（上图），每个反应步骤的预期量子点结构（下图）；（e） InP/GaP/ZnS/多层全溶液处理量子发光二极管示意图；（f） 归一化的PL光谱与EL光谱；（g） 电流密度-电压-亮度曲线；（h） 电流效率-外量子效率与电流密度之间的函数关系［44］。Fig.3（a） Energy levels of InP， GaP and ZnS， and the lattice mismatch values between them and schematic diagram of the synthesis process of InP/GaP/ZnS//ZnS with thick shell structure； （b） Energy level illustration for each layer materials of QLEDs；（c） EL spectra and highly bright EL emission from one emitting spot of devices at different voltages［9］； （d） Schematic of InP/GaP/ZnS reaction scheme presented in the top panel， the expected quantum dot structure at each reaction step is shown in the panel below； （e） Schematic of the InP/GaP/ZnS multilayered all-solution processed QLED；（f） Normalized PL and EL spectra；（g） Current density-voltage-luminance characteristics；（h） Current efficiency and external quantum efficiency as a function of the current density ［44］.除了针对InP核尺寸及包覆壳层的优化外，研究人员还对合金化结构的蓝光InP量子点进行了尝试。Zhou课题组在合成InP量子点过程中，以高活性Zn（ClO4）2作为Zn前驱体，将Zn离子掺进InP核内形成In（Zn）P合金量子点。Zn掺入后能够增大InP的带隙，从而产生蓝光发射，并且随着掺杂量的改变，发光波长也随之变化，得到的In（Zn）P/ZnS量子点具有466 nm的准蓝光发射且FWHM仅有41 nm［45］。此外，Ga离子的掺杂也得到了研究，Kim团队向合成的InP中加入GaI3得到InGaP合金量子点，通过调节GaI3的添加量控制合金化程度，在包壳时采用合金化ZnSeS作为中间层减弱InP与ZnS之间的晶格失配，制备的InGaP/ZnSeS/ZnS量子点的发光波长峰值可在465~475 nm范围内调节，最终以发光波长为465 nm量子点制作的QLED器件的EQE可达到2.5%，最大亮度为1 038 cd/m2，为蓝光InP的研究提供了新的方向","result":"深入探讨了无镉无铅型蓝光量子点材料的研究现状，特别是Ⅱ-Ⅵ族材料ZnSe和Ⅲ-Ⅴ族材料InP，这两类材料因其无毒无污染特性及优良的蓝光发射性能而备受关注。InP量子点因其可调发光波长范围宽和低毒性而成为研究的焦点，但本征带隙较窄，限制了其在蓝光领域的应用。通过优化InP核尺寸和壳层包覆，可以提高其蓝光发射性能。例如，Won等人报道的InP/ZnSe/ZnS双壳层结构红光量子点器件展示了21.4%的EQE和超过100,000 cd/m²的最大亮度。然而，InP量子点的粒径控制、低毒性磷前驱体种类有限和易氧化等问题仍需解决。\n\n研究人员通过改变合成条件和添加辅助配体来控制InP量子点的生长，如Xie等人通过调节pH和表面配体制备出水溶性InP/ZnS量子点，实现了40%的PLQY和90 nm的FWHM。Lim等人利用乙酸调控InP量子点合成过程，得到尺寸均匀的量子点，发光波长峰值为475 nm。Suh等人采用新颖的ZnS包壳方式，制备出粒径仅为1.8 nm的InP核，实现了483 nm的天蓝色发光和52%的PLQY。Zhang团队使用低毒的(DMA)3P替代(TMS)3P，合成出发光波长峰值为468 nm的纯蓝光InP/ZnS量子点，PLQY达到45%。\n\n此外，利用卤素离子或金属离子调控InP的成核及生长速率也是合成蓝光InP量子点的有效方法。例如，Huang等人通过引入铜离子辅助合成小尺寸InP量子点，得到425 nm的发光波长。Shen等人探究了I/In比例对InP量子点尺寸的影响，通过优化比例得到尺寸均匀、表面缺陷少的蓝光InP/ZnS量子点，PLQY高达76%。Zhang团队在反应初期引入Br离子，合成出Br离子钝化的量子点，PLQY高达93%，EQE达到2.9%。\n\n为了减小InP和ZnS之间的晶格失配，研究人员尝试构建InP基多壳层结构量子点。例如，Park等人通过控制InP量子点生长尺寸，得到50% PLQY的蓝光InP/GaP/ZnS量子点。Zhang等人采用“低温成核，高温生长”法制备了厚壳层InP/GaP/ZnS蓝光量子点，具有81%的PLQY和超高的环境稳定性。Lee课题组通过改变烷硫醇和脂肪酸中烃链长度控制ZnS壳的反应动力学，合成出小尺寸的InP核，得到485 nm的光致发光峰和45%的PLQY。\n\n除了核尺寸和壳层的优化，合金化结构的蓝光InP量子点也得到了研究。Zhou课题组通过掺杂Zn离子形成In(Zn)P合金量子点，实现了466 nm的准蓝光发射。Kim团队通过掺杂Ga离子得到InGaP合金量子点，发光波长峰值可在465~475 nm范围内调节，QLED器件的EQE达到2.5%，最大亮度为1,038 cd/m²。\n\n总之，详细介绍了InP量子点在蓝光QLED领域的研究进展，包括核尺寸优化、壳层包覆、卤素离子或金属离子调控、多壳层结构构建以及合金化结构的探索，为实现无毒无污染的高质量蓝光发射和QLED产业化提供了宝贵的信息和启示。","language":"zh"},{"title":"面向量子点电致发光二极管的蓝光InP和ZnSe量子点研究现状","chapter":"3 总结与展望","content":"量子点发光二极管在显示领域表现出巨大潜力及应用价值，历经数年发展，处于劣势的蓝光QLED在某些方面已经取得了相当大的进展，与主流的红、绿光QLED之间的差距正在不断缩小，并开始逐步从重金属有毒材料向环保型无毒材料转变。同时应注意到，作为“后起之秀”，人们对QLED寄予厚望，尽管其在色域、色准、发光强度及制造成本等方面具有优势，但目前仍然难以撼动OLED和LCD在显示领域的地位，离QLED商业化应用还有较长的路要走。考虑到蓝光QLED作为限制QLED发展和应用的主要因素，尤其是在当今环保和健康成为社会主旋律的条件下，对蓝光QLED材料提出了更高的要求。InP和ZnSe量子点蓝光发射性能的提高主要是通过掺杂离子或包覆合适的半导体量子点壳层等辅助手段来实现的。量子点表面态是影响其发光性能的重要因素，纳米级别的量子点有着极高的比表面积，极易产生大量表面缺陷导致发光效率降低，因此改善蓝光量子点表面质量、减少表面有害缺陷是增强光电性能的重要手段。蓝光QLED器件中非平衡态的电荷传输也是影响蓝光QLED性能的关键因素之一。蓝光量子点通常具有较深的价带能级，导致空穴传输层和发光层之间存在较大的注入势垒，严重阻碍空穴的正常注入和传输，最终发光层中的电子数量比空穴多。这种非平衡的电子与空穴传输现象会导致激子“充电”，即激子带上多余的电子，加剧了非辐射俄歇复合现象产生，使得激发能量以热量的形式释放，而不是产生光子发射，降低了器件的发光效率和寿命。精准控制电子和空穴的注入、传输、复合以及辐射跃迁等阶段能够有效提高QLED器件的光电效率和工作稳定性。此外，寻找高质量蓝光发射量子点材料是实现高效率和高性能蓝光QLED的关键所在，而蓝光量子点发光材料大都是宽禁带半导体，其材料的可选择性不如红、绿光材料那么丰富，限制了蓝光QLED的进一步发展。对InP和ZnSe来说，如何改进实验方案、进一步优化合成条件以获得尺寸均一的高质量蓝光量子点材料仍是目前亟需解决的问题。","result":"量子点发光二极管（QLED）在显示领域具有巨大潜力，蓝光QLED取得显著进展，正从有毒材料向环保型无毒材料转变。尽管QLED在色域、色准、发光强度及成本等方面具有优势，但与OLED和LCD相比，商业化应用仍有距离。蓝光QLED材料面临更高要求，InP和ZnSe量子点通过掺杂离子或包覆半导体壳层提高性能。改善量子点表面质量、减少缺陷是增强光电性能的关键。非平衡态电荷传输影响蓝光QLED性能，需精准控制电子和空穴的注入、传输、复合及辐射跃迁。寻找高质量蓝光发射量子点材料是实现高效率和高性能蓝光QLED的关键，而蓝光量子点材料选择性有限，限制了其发展。改进实验方案、优化合成条件以获得尺寸均一的高质量蓝光量子点材料是当前亟需解决的问题。","language":"zh"}]”