Der technische Defekt des Kurzschlusses der Quelle des Dünnfilmtransistors (TFT) mit einem Oxiddielektrikum (DGS), der zu einer Verschlechterung der Bildqualität und zur Ablehnung des Produkts führt, wird ausführlich beschrieben. Das DGS-Prinzip ist klar definiert, die Einflussfaktoren sind identifiziert und entsprechende Lösungen wurden erarbeitet, um die Effizienz der Produktion und die Produktqualität zu gewährleisten. In diesem Artikel werden zunächst die makroskopischen Phänomene und die Mikrostruktur des DGS bestätigt. Es wurde eine statistische Untersuchung der Häufigkeit des Auftretens von DGS bei der Testverfärbung durch Fehlfunktion des Lichts verschiedener Produkte durchgeführt, und der Einfluss der Gitterspannung und der Aktualisierungsfrequenz des Produkts auf das DGS wurde bestimmt. Die experimentellen Phänomene wurden mit dem DGS-Mechanismus verglichen, und die Überlegenheit der Oxid-TFT-Kontakte gegenüber amorphen Silizium-TFT-Kontakten wurde analysiert. Die Ergebnisse zeigen, dass die Essenz des DGS in einer unzureichenden Isolierung des GI liegt, was zu einem Ausfall des dielektrischen GI führt, und dass die dielektrischen Verluste des GI, die Gitterspannung und die Aktualisierungsfrequenz alle signifikante Einflussfaktoren des DGS sind. Diese Faktoren, in der Wechselwirkung zwischen dem Kupferdiffusionsmechanismus und dem Kupfermigrationsmechanismus, verringern die effektive Dicke des GI, erhöhen das Risiko eines thermischen Ausfalls des GI und führen schließlich zum DGS. Die Reduzierung des Anteils der SiOx-Dicke der Intermediärschicht des GI, die Reduzierung der dielektrischen Verluste für die Gitterisolierschicht, und die Unterdrückung des thermischen Ausfalls. Die Senkung der TFT-Gitterspannung, die Unterdrückung der Kupferdiffusion und Kupfermigration sind alles akzeptable Maßnahmen zur Unterdrückung des DGS, und diese Maßnahmen wurden erfolgreich in die Produktionslinie implementiert. Der Mechanismus zur erfolgreichen Unterdrückung des technischen Defekts des DGS ist in die Verbesserung der Produktion integriert, und die anfängliche Häufigkeit des Auftretens des DGS auf dem Bildschirm ging um 73% zurück.

IGZO; Dünnfilmtransistor; Ionenwanderung; elektrischer Durchbruch