绿光InP基量子点发光性能提升策略：表面钝化与配体工程

李倩; 卞阳阳; 陈斐; 唐爱伟

doi:10.37188/CJLCD.2025-0224

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绿光InP基量子点发光性能提升策略：表面钝化与配体工程

量子点发光材料 | 更新时间：2026-09-12

- 绿光InP基量子点发光性能提升策略：表面钝化与配体工程
- Strategies for enhancing the luminescence performance of green-light InP-based quantum dots： surface passivation and ligand engineering
- 液晶与显示 2026年41卷第1期页码：35-54
- 作者机构：
  
  1.北京交通大学物理科学与工程学院发光与光信息技术教育部重点实验室，北京 100044
  2.河南大学纳米科学与工程学院特种功能材料教育部重点实验室，河南开封 475004
- 作者简介：
  
  李倩，女，博士研究生，2024年于河南大学获得硕士学位，主要从事量子点发光材料与器件的研究。E-mail： 24115180@bjtu.edu.cn
  陈斐，女，博士，研究员，2021年于北京交通大学获得博士学位，主要从事量子点发光器件构筑与性能的研究。E-mail： chenfei.henu@henu.edu.cn
  唐爱伟，男，博士，教授，2009年于北京交通大学获得博士学位，主要从事发光材料、器件及应用的研究。E-mail： awtang@bjtu.edu.cn
- 基金信息：
  
  北京市自然科学基金(Z220007);国家自然科学基金委员会(62574076);中国博士后科学基金会(2025T180005;2025M770513)
- DOI：10.37188/CJLCD.2025-0224
  中图分类号： O482.31
- CSTR：32172.14.CJLCD.2025-0224
- 收稿：2025-11-04，
  
  修回：2025-12-18，
  
  纸质出版：2026-01-05
- 稿件说明：
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李倩, 卞阳阳, 陈斐, 等. 绿光InP基量子点发光性能提升策略：表面钝化与配体工程[J]. 液晶与显示, 2026,41(1):35-54.

LI Qian, BIAN Yangyang, CHEN Fei, et al. Strategies for enhancing the luminescence performance of green-light InP-based quantum dots： surface passivation and ligand engineering[J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays, 2026, 41(1): 35-54.
李倩, 卞阳阳, 陈斐, 等. 绿光InP基量子点发光性能提升策略：表面钝化与配体工程[J]. 液晶与显示, 2026,41(1):35-54. DOI： 10.37188/CJLCD.2025-0224. CSTR： 32172.14.CJLCD.2025-0224.

LI Qian, BIAN Yangyang, CHEN Fei, et al. Strategies for enhancing the luminescence performance of green-light InP-based quantum dots： surface passivation and ligand engineering[J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays, 2026, 41(1): 35-54. DOI： 10.37188/CJLCD.2025-0224. CSTR： 32172.14.CJLCD.2025-0224.

摘要

胶体量子点（QDs）因其独特的尺寸依赖发光特性、高色纯度和高荧光量子产率（PLQY），被誉为下一代显示与照明技术的核心发光材料。其中，磷化铟（InP）量子点凭借其优异的环境友好特性、光谱覆盖范围广、可溶液加工的低成本优势，在下一代显示与照明领域展现出巨大应用潜力。本文系统分析了绿光InP QDs的研究现状，重点阐述了绿光InP QDs的3个关键突破：一是在化学合成上，通过精确控制反应动力学，成功实现了尺寸均一、结晶度高的绿光InP晶核的制备；二是在表面钝化方面，通过离子钝化和壳层钝化，消除了晶核表面缺陷态，提升量子点的PLQY；三是在配体工程方面，通过QDs表面配体的调控，获得了稳定且能级适配的InP QDs。最后，对InP QDs未来发展方向进行了展望。

Abstract

Colloidal quantum dots （QDs） are recognized as the key luminescent materials for next-generation display and lighting technologies， owing to their unique size-dependent luminescent properties， high color purity， and high photoluminescent quantum yield （PLQY）. Among various QDs， indium phosphide （InP） quantum dots show particular promise for future displays and lighting applications due to their environmentally benign characteristics， broad spectral tunability， and cost-effective solution processability. This article provides a systematic review of recent advances in green-emitting InP QDs， highlighting three critical breakthroughs. First， in the aspect of chemical synthesis， precise regulation of reaction kinetics has enabled the fabrication of green-emitting InP core particles with uniform size and high crystallinity. Second， in terms of surface passivation， both ionic and shell passivation have been implemented to effectively suppress surface defect states in the core， leading to a significant improvement in the PLQY. Third， in terms of ligand engineering， the modification of surface ligands has yielded stable InP QDs with suitably aligned energy levels. Furthermore， the paper presents an outlook on their future development directions.

关键词

Keywords

references

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