高迁移率金属氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展

李强; 葛春桥; 陈露; 钟威平; 梁齐莹; 柳春锡; 丁金铎

doi:10.37188/CJLCD.2024-0032

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高迁移率金属氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展

器件物理及器件制备 | 更新时间：2024-05-15

- 高迁移率金属氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展
- Research progress of high mobility metal oxide semiconductor thin film transistors
- “科技新闻播报：随着平板显示和柔性显示产业的快速发展，金属氧化物半导体薄膜晶体管（MOS TFTs）因其卓越性能已成为关键技术。经过30多年的研究，非晶镓锌氧化物（a-IGZO）成功替代非晶硅（a-Si）应用于TFTs。然而，显示产业对更高生产效益、更佳显示性能（如高分辨率、高刷新率）和更低功耗的需求，推动了更高迁移率的MOS TFTs技术的发展。本文深入探讨了通过多元MOS材料实现MOS TFTs高迁移率特性的研究进展，并从固体物理学角度分析了迁移率与器件稳定性之间的关系。这一研究不仅为提升显示产业的技术水平提供了有力支持，也为MOS TFTs的未来发展指明了方向。随着研究的深入和技术的不断进步，我们有理由相信，MOS TFTs将在未来显示产业中发挥更加重要的作用，推动整个行业向更高水平迈进。”
- 液晶与显示 2024年39卷第4期页码：447-465
- 作者机构：
  
  中山智隆新材料科技有限公司，广东中山 528459
- 作者简介：
  
  [ "李强，男，硕士，工程师，2020年于湖北大学获得硕士学位，主要从事金属氧化物半导体材料及其光电器件技术的开发研究。E-mail：liqiang@zhilong.pro" ]
  [ "葛春桥，男，博士，高级工程师，2008年于华中科技大学获得博士学位，主要从事粉末冶金技术以及电子陶瓷材料的研究。E-mail：gechunqiao@zhilong.pro" ]
- 基金信息：
  
  中山市科技计划(LJ2021006;CXTD2022005;2022A1009)
- DOI：10.37188/CJLCD.2024-0032
  中图分类号： TN321⁺.5
- 收稿日期：2024-01-23，
  
  修回日期：2024-02-14，
  
  纸质出版日期：2024-04-05
- 稿件说明：
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李强, 葛春桥, 陈露, 等. 高迁移率金属氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展[J]. 液晶与显示, 2024,39(4):447-465.

LI Qiang, GE Chunqiao, CHEN Lu, et al. Research progress of high mobility metal oxide semiconductor thin film transistors[J]. Chinese journal of liquid crystals and displays, 2024, 39(4): 447-465.
李强, 葛春桥, 陈露, 等. 高迁移率金属氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展[J]. 液晶与显示, 2024,39(4):447-465. DOI： 10.37188/CJLCD.2024-0032.

LI Qiang, GE Chunqiao, CHEN Lu, et al. Research progress of high mobility metal oxide semiconductor thin film transistors[J]. Chinese journal of liquid crystals and displays, 2024, 39(4): 447-465. DOI： 10.37188/CJLCD.2024-0032.

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DOI：10.37188/CJLCD.2024-0032