Este estudio compara sistemáticamente las características de los materiales, el desempeño de las películas delgadas y la aplicación en dispositivos de visualización del nuevo blanco de óxido de indio-estaño con bajo contenido de agua (W-ITO) con el blanco tradicional de óxido de indio-estaño (N-ITO). La estructura del material muestra que el W-ITO compensa las vacantes de oxígeno mediante la incorporación de 0.10 at.% de un elemento metálico en trazas, suprimiendo el problema de partículas contaminantes inducidas por el agua durante la anneal; el diámetro de las partículas de segunda fase difíciles de sputterear (2.02 μm) y la proporción de área (16.80%) son significativamente menores que en el N-ITO, reduciendo desde la raíz la formación de arcos eléctricos. En cuanto a las propiedades después del deposición por sputtering magnetrón, el W-ITO exhibe un mejor promedio de resistencia de superficie, buena estabilidad de resistividad, alta calidad cristalina y alta transmitancia, además de una tasa más rápida de grabado húmedo, superficie más limpia y menor perforación, facilitando la preparación de patrones de alta precisión. En aplicaciones de dispositivos de transistores de película delgada (TFT), los dispositivos basados en electrodos W-ITO muestran características eléctricas estándar, y sus curvas de transferencia suaves y sin torsiones prueban indirectamente la alta calidad de la interfaz electrodo/capa activa. Tras la integración y encapsulado en un panel de vidrio, los productos terminados muestran un excelente contraste óptico, curva gamma, retención de imagen, resistencia a descargas electrostáticas y consumo de energía, validando la mejora integral en el rendimiento y la fiabilidad del panel de visualización gracias al electrodo W-ITO. Finalmente, los datos de producción en masa confirman que el uso de blancos W-ITO puede aumentar significativamente la tasa de éxito del primer lote de deposición de ITO (~0.14%), reducir la tasa de reparación de defectos por deposición secundaria (~0.37%) y prolongar eficazmente el ciclo de mantenimiento del equipo, aportando beneficios económicos significativos. Este estudio proporciona un soporte teórico y experimental sistemático para la selección de materiales ITO de alta confiabilidad y alto rendimiento y para la optimización de procesos de producción en masa.

óxido de indio-estaño; sputtering magnetrón; transistor de película delgada; panel de vidrio; tasa de éxito