Para adaptarse a las necesidades de fabricación a baja temperatura de la electrónica flexible, este artículo utiliza un proceso de recocido a baja temperatura de 300 ℃ para preparar un transistor de película delgada (TFT) MgZnO/ZTO utilizando una película de óxido de aluminio y zinc (AZO) como electrodo transparente. Se estudió sistemáticamente el efecto del grosor del electrodo AZO (110 nm, 165 nm, 220 nm, 275 nm) en el rendimiento del dispositivo. Se caracterizaron las películas usando un espectrofotómetro UV-visible, microscopio de fuerza atómica, microscopio electrónico de barrido y espectroscopía fotoelectrónica de rayos X. Los resultados mostraron que el mejor rendimiento del dispositivo se obtuvo con un grosor del electrodo AZO de 165 nm, con una movilidad de campo de 0.482 cm²·V⁻¹·s⁻¹, voltaje umbral de 6.362 V, pendiente subumbral de 3.418 V/década y una relación corriente encendido-apagado que alcanzó la orden de 10⁷. El análisis indica que cuando el electrodo AZO tiene 165 nm, la concentración de vacantes de oxígeno en la película es óptima, proporcionando suficientes portadores para mejorar la conductividad, garantizando eficazmente la inyección y transporte de carga. También se realizaron pruebas de estabilidad bajo estrés de polarización positiva (PBS) y negativa (NBS). Con un voltaje de puerta de ±20 V y tiempo de estrés de 1000 s, el desplazamiento del voltaje umbral fue solo +1.99 V y -3.62 V, mostrando una estabilidad ligeramente mejor que los dispositivos con electrodos ITO tradicionales. Finalmente, los resultados indican que con un grosor del electrodo AZO de 165 nm, el MgZnO/ZTO-TFT recocido a baja temperatura muestra buen rendimiento eléctrico y estabilidad, proporcionando una solución viable para la fabricación de dispositivos TFT transparentes y libres de indio a baja temperatura.

electrodo AZO; MgZnO/ZTO-TFT; recocido a baja temperatura; XPS; estabilidad