Fenómeno del patrón de arcoíris en la zona de orificios de pantallas OLED causado por el cambio de película de SiON en TFE

CAI Hankun ,  

YANG Jinjin ,  

LI Zuobin ,  

TU Qiumei ,  

ZHANG Guofeng ,  

摘要

En los últimos años, con el desarrollo de la tendencia a la reducción del grosor de los teléfonos móviles y el aumento de los requisitos de fiabilidad, la proporción de aparición del fenómeno de patrón de arcoíris en la zona de orificios de las pantallas OLED (Diodo Orgánico Emisor de Luz) ha tenido un cierto aumento. Este artículo analiza cualitativa y cuantitativamente las causas del fenómeno de patrón de arcoíris en la zona de orificios de las pantallas OLED y, sobre esta base, establece un conjunto relativamente completo de métodos de análisis multidimensionales que pueden cruzar y verificar mutuamente los resultados. La optimización adicional de la composición estructural de la capa de encapsulación de película delgada (Thin Film Encapsulation, TFE) puede minimizar el riesgo de aparición de manchas oscuras relacionadas con el patrón de arcoíris en la zona de orificios después de las pruebas de fiabilidad. Mediante fragmentos, se analizaron las áreas y posiciones donde ocurre el patrón de arcoíris en la zona de orificios bajo condiciones de alta temperatura y humedad; y se analizaron las causas del fenómeno en la zona de orificios utilizando microscopía electrónica de transmisión (TEM), espectrometría de iones secundarios con tiempo de vuelo (TOF-SIMS) y espectroscopía de fotoelectrones de rayos X (XPS). Los resultados experimentales muestran que SiON en CVD1 (Deposición Química de Vapor 1) bajo condiciones de alta temperatura y humedad se convierte gradualmente en una capa de SiO. Los resultados de TEM y TOF-SIMS indican que la cantidad de nitrógeno en la capa oxidada es inferior al 2 %; los resultados de descomposición de picos de XPS muestran que el SiON en la superficie de CVD1-2 se ha convertido casi por completo en una capa de SiO. Al aumentar el índice de refracción de la capa de SiON de CVD1-1 en TFE de 1,72 a 1,76, la profundidad de oxidación de la capa de SiON CVD1-1 disminuyó un 70 %. La creación de este método de análisis no solo explica que el SiO producido tras la oxidación de la capa CVD en la zona de orificios es la causa del fenómeno de patrón de arcoíris, sino que también propone el impacto de la zona de patrón de arcoíris en la fiabilidad de la zona de orificios del panel OLED. Esta estrategia proporciona una solución para las futuras aplicaciones de OLED en campos que requieren mayor fiabilidad, como el automotriz, la TI (Tecnología de la Información), los carteles publicitarios, etc.

关键词

fenómeno del patrón de arcoíris;pantalla OLED con orificios;encapsulación de película delgada;nitruro de silicio;óxido de silicio

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