En los últimos años, con el desarrollo de la tendencia a la delgadez de los teléfonos móviles y el aumento de los requisitos de fiabilidad, la proporción de aparición del fenómeno de las bandas de arco iris en las zonas de los orificios de las pantallas OLED (diodo orgánico emisor de luz) ha aumentado. Este artículo analiza cualitativa y cuantitativamente las causas del fenómeno de las bandas de arco iris en las zonas de los orificios de las pantallas OLED y, sobre esta base, establece un conjunto relativamente completo de métodos de prueba analítica multidimensional que pueden verificarse entre sí. La optimización adicional de los componentes de la estructura de las capas de encapsulación de película delgada (Thin Film Encapsulation, TFE) puede reducir al máximo el riesgo de aparición de manchas oscuras relacionadas con las bandas de arco iris en las zonas de los orificios después de las pruebas de fiabilidad. Mediante el corte, se analizaron las zonas y posiciones donde ocurre el fenómeno de las bandas de arco iris bajo condiciones de alta temperatura y alta humedad; y se analizaron las causas del fenómeno en la zona de los orificios utilizando un microscopio electrónico de transmisión (Transmission Electron Microscope, TEM), un espectrómetro de iones secundarios por tiempo de vuelo (Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry, TOF-SIMS) y un sistema de espectroscopía fotoelectrónica de rayos X (X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS). Los resultados experimentales muestran que en CVD1 (Deposición Química de Vapor 1), el SiON se transforma gradualmente en una capa de SiO bajo condiciones de alta temperatura y alta humedad. Los resultados de TEM y TOF-SIMS indican que el contenido de nitrógeno en la capa oxidada es menos del 2 %; los resultados de la descomposición del XPS muestran que la superficie de CVD1-2 se ha convertido casi por completo en una capa de SiO. Al aumentar el índice de refracción de la capa de SiON en CVD1-1 de 1.72 a 1.76 en el TFE, la profundidad de oxidación de la capa de SiON en CVD1-1 se redujo en un 70 %. El establecimiento de este método de análisis no solo explica que el SiO generado tras la oxidación de la capa CVD en la zona de orificio es la causa del fenómeno de las bandas de arco iris, sino que también sugiere el impacto de la zona de las bandas de arco iris en la fiabilidad de la zona de orificio del panel OLED. Esta estrategia proporciona soluciones para futuras aplicaciones de pantallas OLED en áreas que requieren mayor fiabilidad, como automoción, tecnología de la información (Information Technology) y carteles publicitarios.

fenómeno de bandas de arco iris; pantalla OLED con orificios; encapsulación de película delgada; oxinitruro de silicio; dióxido de silicio