Este artículo aborda el problema del desvanecimiento de las películas polarizadoras en diodos orgánicos emisores de luz flexibles bajo condiciones de humedad y calor, estudiando los factores clave que afectan el proceso de deposición de películas de nitruro de silicio mediante deposición química de vapor asistida por plasma (PECVD). Mediante un diseño experimental factorial completo, se analizaron sistemáticamente los mecanismos mediante los cuales la potencia de radiofrecuencia y la distancia entre electrodos afectan las propiedades de la película y el comportamiento de desvanecimiento de la película polarizadora. Los resultados muestran que la potencia de radiofrecuencia (P=0.006) y la distancia entre electrodos (P=0.023) son factores significativos que afectan el desvanecimiento de la película polarizadora; el grado de desvanecimiento está negativamente correlacionado con la potencia de radiofrecuencia y positivamente correlacionado con la distancia entre electrodos. El modelo lineal establecido puede explicar el 89.88% de la variación. No existe una asociación estadísticamente significativa entre la tensión de la película y el desvanecimiento de la película polarizadora (P=0.169), lo que indica que ambas son variables de respuesta paralelas de los parámetros del proceso. El contenido de hidrógeno ligado en los enlaces nitrógeno-hidrógeno y silicio-hidrógeno en la película de nitruro de silicio está fuertemente correlacionado positivamente con el desvanecimiento de la película polarizadora (P=0.007, R²=79.1%). El valor pico a pico del voltaje, como indicador clave de la capacidad de disociación del plasma, está significativamente correlacionado negativamente con el contenido de hidrógeno ligado (P=0.015). Aumentar la potencia de radiofrecuencia y reducir la distancia entre electrodos puede aumentar significativamente el valor pico a pico de voltaje, lo que reduce eficazmente el contenido de hidrógeno ligado en la película de nitruro de silicio y fomenta la formación de una estructura de película más densa y estable, reduciendo así la liberación de amoníaco debido a la degradación oxidativa de la película en un ambiente húmedo y cálido, disminuyendo su reacción posterior con los iones de yodo en la película polarizadora y logrando finalmente suprimir el desvanecimiento de la película polarizadora, mejorando significativamente la confiabilidad de los diodos orgánicos emisores de luz flexibles en condiciones húmedas y cálidas.

desvanecimiento de películas polarizadoras; deposición química de vapor asistida por plasma; nitruro de silicio; potencia de radiofrecuencia; distancia entre electrodos; contenido de hidrógeno ligado; valor pico a pico de voltaje