Progresos en la preparación de diodos emisores de luz de puntos cuánticos de alto rendimiento basados en la capa de modificación de interfaz

LUO Chengyu ,  

ZHONG Chao ,  

CHEN Jialei ,  

LIN Lihua ,  

HU Hailong ,  

LI Fushan ,  

摘要

Como portador de información visual, el monitor juega un papel indispensable en una vida cada vez más digital e inteligente. Los diodos emisores de luz de puntos cuánticos (QLEDs), gracias a su rendimiento sobresaliente, están preparándose para liderar la próxima ola de tecnologías de visualización y tienen el potencial de remodelar el mercado internacional de paneles de visualización. Sin embargo, la aplicación práctica actual de los dispositivos QLEDs todavía enfrenta algunas limitaciones, como el rendimiento de la emisión y la vida útil que aún no cumplen con los requisitos comerciales. Para preparar QLEDs de alto rendimiento, la modificación de las interfaces de las diversas capas funcionales es un método comúnmente utilizado en la investigación. Basándose en esto, esta revisión resume los avances en la modificación de interfaces de QLEDs desde múltiples aspectos, analiza detalladamente el mecanismo de modificación de interfaz y su impacto en el rendimiento de los QLEDs. Finalmente, señala las deficiencias existentes en el desarrollo de QLEDs y ofrece una perspectiva sobre su futuro desarrollo. Se espera que esta revisión proporcione una referencia valiosa para la investigación académica y la industrialización de los QLEDs.

关键词

diodos emisores de luz de puntos cuánticos;modificación de interfaz;capas funcionales;rendimiento

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