Los diodos emisores de luz de puntos cuánticos (Quantum Dot Light Emitting Diodes, QLED) presentan un gran potencial en campos emergentes como pantallas de alta resolución y realidad aumentada, debido a su espectro de emisión estrecho, amplia cobertura del espacio de color, alta luminosidad y bajo consumo de energía. Sin embargo, la eficiencia y estabilidad de los dispositivos azules son significativamente inferiores a las de los dispositivos rojos y verdes, lo que limita el desarrollo de pantallas a todo color. Este estudio propone una estrategia de síntesis basada en ZnSe como matriz con la introducción de iones Cd para regular la emisión. Mediante una rápida inyección de Cd²⁺ a alta temperatura para lograr un intercambio iónico, se lograron preparar con éxito puntos cuánticos núcleo CdZnSe con un pico de emisión en 469 nm y un rendimiento cuántico de fotoluminiscencia (PLQY) del 79 %. Se realizó un crecimiento epitaxial de capas múltiples de ZnSe/ZnSeS/ZnS sobre los puntos cuánticos núcleo, lo que permitió la pasivación efectiva de defectos superficiales, el aumento de la estabilidad estructural y una reducción significativa de la tasa de recombinación no radiativa. Los resultados muestran que el pico de emisión de los puntos cuánticos con capas múltiples se estabiliza en 463 nm y el PLQY aumenta hasta un 92 %, mostrando una emisión azul puro; los dispositivos QLED construidos alcanzan una eficiencia cuántica externa máxima del 18,5% y un brillo máximo de 6,34×10⁴ cd/m². Esta estrategia, mediante la sinergia del intercambio iónico y la pasivación con capas múltiples, logra dispositivos QLED de alto rendimiento con alta PLQY y emisión estable en la región del azul puro, proporcionando un método efectivo para la fabricación eficiente de puntos cuánticos azul oscuro.

Diodos emisores de luz de puntos cuánticos; emisión azul pura; intercambio iónico; estructura núcleo/cáscara