La tecnología de visualización de integración mixta de semiconductores de óxido policristalino de baja temperatura (Low Temperature Polycrystalline Oxide, LTPO) es una nueva tecnología de visualización integrada que combina el silicio policristalino de baja temperatura (LTPS) y los semiconductores de óxido metálico (MOS), con el objetivo de lograr soluciones de visualización de alto rendimiento y bajo consumo. Durante el proceso de integración LTPO, el hidrógeno puede difundirse desde la capa LTPS hacia la capa de óxido metálico, lo que provoca un desplazamiento del voltaje umbral del dispositivo y una degradación de la estabilidad, afectando el rendimiento del producto de visualización. Este artículo examina en detalle las diferencias de presencia de hidrógeno en dispositivos LTPS y MOS, así como el impacto del hidrógeno en dispositivos MOS, resumiendo dos métodos de bloqueo de hidrógeno para dispositivos MOS: uso de diferentes capas dieléctricas y procesos de dopaje iónico. Además, se recopilan métodos de bloqueo de hidrógeno para dispositivos LTPO con el fin de mejorar la estabilidad y confiabilidad de los dispositivos LTPO. Finalmente, se hace una perspectiva sobre la aplicación más amplia de la tecnología LTPO mediante el bloqueo de hidrógeno en el ámbito de las pantallas de alto rendimiento.

Óxido policristalino de baja temperatura;óxido metálico;silicio policristalino de baja temperatura;transistor de película delgada;difusión de hidrógeno