Los dispositivos de sinapsis artificial fotónica (PAS) que integran la función de reconocimiento y aprendizaje de memoria de luz polarizada circularmente (CPL) tienen un valor importante para los sistemas visuales neuromórficos avanzados. Este artículo preparó dispositivos de transistores sinápticos CPL en el rango de luz visible mediante una estrategia simple de mezcla y diseño de estructura multicapa del dispositivo. Los experimentos demostraron que las películas preparadas mediante la mezcla de moléculas quirales pequeñas (4-[[4-(hexioksi) benzoyloxy]-1,1'-[1,1'-binaptil]-2,2'-diéster]) ácido benzoico (S6N) o (R)-(9CI)-4-(hexioksi)-[1,1'-binaptil]-2,2'-di(carbonilo-4,1-fenileno) ácido benzoico (R6N) con polímero (9,9-dioctil fluoreno-2,7-dilo) (PFO) muestran una fuerte actividad óptica quiral después de inducción quiral y recocido. Utilizando esta película mezclada como capa quiral y el polímero conjugado aceptor-donador basado en bencotiofeno-azaisoisoindigo-benzodiurandiona (C13P3.75) como capa de transporte de carga, se preparó un transistor fotoeléctrico de doble capa capaz de simular varios comportamientos sinápticos biológicos bajo irradiación CPL de 405 nm. Se simuló con éxito la corriente postsináptica excitatoria (EPSC), la facilitación de doble pulso (PPF) y la transición de memoria a corto plazo (STM) a memoria a largo plazo (LTM). Los resultados experimentales muestran que los dispositivos de transistores de efecto campo orgánico (OFET) preparados tienen una excelente capacidad para distinguir CPL, con un factor de asimetría de corriente fotovoltaica de CPL a 405 nm de -0,492.

inducción quiral; mezcla; transistor de efecto de campo orgánico; luz polarizada circularmente; sinapsis artificial fotónica