Los transistores de película delgada basados en semiconductores de óxido metálico (MOS TFT), debido a su alta movilidad de efecto campo (μ_FE), extremadamente baja corriente de fugas en estado de apagado y uniformidad eléctrica en grandes áreas, se han convertido en una tecnología clave para impulsar el desarrollo de la industria de pantallas planas o flexibles. Tras más de 30 años de investigación, el óxido amorfo de indio-galio-zinc (a-IGZO) fue el primero en reemplazar al silicio amorfo (a-Si) en los TFT. Sin embargo, para satisfacer simultáneamente los requisitos de la industria de pantallas para una mayor eficiencia de producción, mejor rendimiento de visualización (como alta resolución y alta tasa de refresco) y menor consumo de energía, se necesita una tecnología de MOS TFT con mayor movilidad. Este artículo revisa sistemáticamente, desde la perspectiva de la física del estado sólido, los avances en la investigación de las características de alta movilidad en MOS TFT mediante materiales MOS múltiples, y discute la relación entre movilidad y estabilidad del dispositivo. Finalmente, resume el estado actual y las tendencias de desarrollo de los MOS TFT.

semiconductor de óxido metálico;transistor de película delgada;movilidad de efecto campo;estabilidad por polarización