Para mejorar el rendimiento del transistor de película delgada, este artículo se basa en la tecnología de pulverización magnetrón de radiofrecuencia y utiliza el material óxido de zinc y estaño (ZTO) como capa de canal, preparando transistores de película delgada ZTO de alto rendimiento sobre un sustrato SiO₂/p-Si. Se investigó el efecto de la potencia de pulverización sobre la morfología superficial y las propiedades ópticas de las películas de ZTO mediante AFM, XRD y UV-Vis. Se probaron las propiedades eléctricas de los transistores de película delgada ZTO utilizando un medidor de parámetros semiconductores, y se utilizó el análisis XPS para estudiar el efecto de la potencia de pulverización sobre la composición elemental y el estado de valencia en las películas de ZTO, explorando el mecanismo de los transistores de película delgada de alto rendimiento. Los resultados experimentales muestran que todas las muestras de películas ZTO son de estructura amorfa, con superficie densa y transmitancia óptica superior al 90%. Aumentar adecuadamente la potencia de pulverización puede mejorar el rendimiento eléctrico de los transistores de película delgada ZTO. Los transistores fabricados a 90 W de potencia de pulverización mostraron un buen rendimiento integral, con una movilidad de saturación de 15.61 cm²/(V·s), un swing subumbral de 0.30 V/década, un voltaje umbral de -5.06 V y una relación de encendido-apagado de corriente de 8.92×10⁹.

transistor de película delgada; potencia de pulverización; análisis XPS; película ZTO