El nitruro de galio, como material para dispositivos de iluminación de tercera generación, ha mejorado significativamente su desempeño en comparación con la primera generación de silicio y la segunda generación de arseniuro de galio. Los dispositivos Micro-LED basados en nitruro de galio también han ganado cada vez más atención. Sin embargo, los LED cultivados en la superficie tradicional c presentan algunas fallas inherentes que a menudo resultan en una baja eficiencia de emisión en aplicaciones prácticas, como el efecto Stark limitado cuántico, la brecha verde, la transferencia de portadores, entre otros problemas. Los LED no polares o semi-polares no poseen campo eléctrico de polarización, cuentan con una alta eficiencia cuántica interna y una gran probabilidad de recombinación electrón-hueco, lo que ha generado gran interés en la investigación y aplicación de dispositivos Micro-LED no polares y semi-polares. Este artículo revisa el estado actual de la investigación en dispositivos Micro-LED no polares y semi-polares. Primero, se presentan las ventajas de los materiales basados en nitruro de galio no polares y semi-polares en cuatro aspectos: efecto Stark limitado cuántico, brecha verde, transferencia de portadores y disminución de la eficiencia. Luego, se abordan problemas como las dislocaciones defectuosas, el aumento de la eficiencia de extracción de luz y la realización de pantallas a todo color bajo diferentes densidades de corriente mediante tres técnicas: conformado de chips, grabado de patrones y matrices. Finalmente, se ofrece una perspectiva sobre Micro-LED como líder de la próxima generación de pantallas. Se espera que esto sea útil para futuras investigaciones de Micro-LED.

nitruro de galio;Micro-LED;no polar;semi-polar