Con el desarrollo continuo de la tecnología de visualización, la demanda de transistores de película delgada (Thin Film Transistor, TFT) de alto rendimiento y alta estabilidad está aumentando. Los métodos para mejorar el desempeño de los transistores de película delgada mediante la cristalización han recibido mucha atención. Actualmente, los materiales de óxido de indio, galio y zinc (IGZO) se utilizan ampliamente en los canales de los transistores de película delgada debido a su alta movilidad, buena flexibilidad y alta transparencia. Mejorar la morfología cristalina de la capa del canal IGZO también se ha convertido en un foco de investigación. Este artículo resume el progreso de la investigación en dispositivos de transistores de película delgada IGZO cristalinos, describe en detalle la estructura cristalina de los compuestos IGZO, enfatizando monocristales, cristalización orientada en el eje c, polimorfismo hexagonal, tipo espinela, tipo nanocristalino y tipo de cristalización nativa de IGZO, así como los métodos de preparación, rendimiento y estabilidad de cada tipo de transistor IGZO cristalino. Se analiza profundamente su microestructura, se resumen las propiedades físicas, se explican los mecanismos de cristalización de diferentes estructuras cristalinas, se establece la relación entre la estructura cristalina y las propiedades eléctricas, y finalmente se hace una perspectiva sobre el desarrollo de los transistores de película delgada IGZO cristalinos.

IGZO cristalino; transistores de película delgada; estructura cristalina; progresos en la investigación