En el proceso de grabado del electrodo de un transistor de película delgada (Thin film transistor, TFT), la zona de visualización (zona AA) y la zona de alimentación (zona Fanout) presentan un efecto de carga de grabado debido a diferencias en la densidad del cableado, lo que provoca una gran diferencia en el grado de grabado y dificulta la determinación del tiempo de grabado. Suprimir el efecto de carga de grabado en el proceso de grabado del electrodo tiene un significado positivo para garantizar la calidad. Este artículo analiza el proceso microscópico del grabado húmedo y propone un esquema para aumentar el caudal de pulverización del líquido de grabado para suprimir el efecto de carga. El esquema de aumento del caudal de pulverización se convierte en el ajuste de la proporción del tiempo de grabado de las tres cámaras de grabado (Etch1~Etch3). Bajo la premisa de un tiempo total de grabado constante, se realizan pruebas con diferentes proporciones de tiempo en las tres cámaras y se realiza un análisis de agrupamiento de los resultados del grabado. Finalmente, se selecciona la proporción de tiempo óptima para suprimir el efecto de carga y se analizan los resultados combinados con una red neuronal. Los resultados experimentales muestran que reducir la proporción de tiempo de Etch3 y aumentar la proporción de tiempo de Etch2 puede suprimir el efecto de carga. La proporción de tiempo de Etch1~Etch3 se ajustó de 33.33%∶33.33%∶33.33% a 10%∶80%∶10%, y la diferencia en el grado de grabado entre la zona AA y la zona fanout se redujo de 0.575 μm a 0.317 μm. Ajustando la proporción de tiempo de las tres zonas de grabado se puede suprimir el efecto de carga de grabado, aliviar las diferencias en el grado de grabado entre diferentes zonas y cumplir con los requisitos de producción en masa de TFT.

electrodo;grabado húmedo;efecto de carga;análisis de agrupamiento;red neuronal