Fabricación de un chip Micro-LED basado en nitruro de galio de alta resolución con conducción activa

HUANG Ming-shui ,  

NIE Jun-yang ,  

LIU Ming-yang ,  

LI Yang ,  

PAN Kui ,  

DENG Li-ying ,  

YANG Tian-xi ,  

HUANG Zhong-hang ,  

SUN Jie ,  

YAN Qun ,  

GUO Tai-liang ,  

摘要

Este artículo diseña y fabrica un chip Micro-LED basado en nitruro de galio con una resolución de 1920×1080. Se utiliza un método de grabado ICP (plasma acoplado inductivamente) una sola vez para el patronaje de la capa de extensión de corriente y el grabado de la plataforma, logrando la autoalineación de la capa de extensión de corriente y la plataforma. Además, durante el proceso de fabricación se usa HMDS (hexametildisiloxano) para mejorar la adhesión del resist, aumentando fundamentalmente la consistencia e integridad del grabado de plataformas pequeñas. Además, al elevar el electrodo tipo N se resuelve el problema de desiguales alturas entre el electrodo tipo P y tipo N en los chips volteados tradicionales, facilitando el enlace entre el chip de visualización y el chip controlador. El tamaño del chip es de 17.78 mm (0.7 pulgadas), el tamaño de la unidad emisora es de 6 μm, el período del píxel es de 8 μm y la densidad de píxeles alcanza los 3129 PPI. Los datos de prueba I-V indican que el voltaje de encendido del Micro-LED fabricado es solo de 3.5 V.

关键词

Micro-LED;alta resolución;chip volteado;grabado

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