Este artículo presenta la preparación del dispositivo transistor de película delgada (TFT) en sustrato de alcohol polivinílico (PVA), el análisis de propiedades eléctricas y la demostración de las características de disolución del dispositivo. El dispositivo utiliza óxido de hafnio (HfO₂) como capa aislante de alta constante dieléctrica, óxido de zinc dopado con aluminio (AZO) como capa activa, y aluminio como puerta, fuente y drenaje. Se logró fabricar con éxito un transistor de película delgada con capa aislante de alta constante dieléctrica (alto k) en sustrato PVA mediante pulverización catódica magnética (PVD) a baja temperatura, y se optimizó aún más la estructura de la capa aislante del dispositivo: se utilizó una estructura de capas apiladas de óxido de hafnio (HfO₂) y óxido de aluminio (Al₂O₃) como capa aislante. Los resultados muestran que, en comparación con la estructura de capa única de óxido de hafnio, el dispositivo TFT con capa aislante apilada tiene un mejor rendimiento, con menor corriente de fuga, mayor relación de conmutación y menor pendiente subumbral, siendo más adecuado como capa aislante para transistores de película delgada sobre sustrato de PVA. La relación encendido/apagado del dispositivo con capa aislante tipo “sándwich” alcanza 2.5×10⁶, el voltaje umbral es de 10.6 V, la pendiente subumbral es de 0.53 V·dec^-1 y la movilidad de portadores es de 3.01 cm²·V^-1·s^-1.

transistor de película delgada;electrónica transitoria;alcohol polivinílico (PVA);soluble;estructura de capas aislantes apiladas