En el proceso de fabricación del electrodo común de transistores de película delgada (Thin film transistor, TFT), algunos de los especímenes de TFT presentan una corriente de fuga (I_off) anormalmente alta. Estas muestras se sometieron al mismo equipo de remoción de fotorresiste, lo cual provocó la parada del equipo y una pérdida de capacidad productiva. Identificar y resolver la causa del aumento de la corriente de fuga ocasionada por este equipo de remoción es crucial para garantizar la capacidad y calidad de producción. Primero, se recolectaron y analizaron los líquidos de remoción de los equipos defectuosos y normales, encontrando un alto contenido de iones de Al en la solución del equipo defectuoso. Además, se encontró que el I_off del TFT aumenta a medida que incrementa el número de lotes procesados en el equipo defectuoso. La causa es que los iones de Al generan partículas de Al_2O_3 durante el proceso de remoción, las cuales se adhieren a la capa de pasivación del dispositivo TFT, formando un efecto de puerta parásita que finalmente incrementa el I_off. Finalmente, se aplicaron soluciones basadas en TRIZ y se seleccionaron las mejores para la validación. Los resultados experimentales muestran que cuando la concentración de iones Al en la solución de remoción aumenta de 1×10^-8 a 2.189×10^-6, el I_off sube de 3.56 pA a 7.56 pA. Cuando la solución contiene iones Al y el número de remociones aumenta, el I_off muestra una tendencia ascendente. Incrementar la potencia del tratamiento plasmático antes de la formación de la capa de pasivación y aumentar el espesor de dicha capa puede suprimir el aumento de I_off. Por lo tanto, se puede determinar que la causa del aumento de I_off por el equipo de remoción es el efecto de puerta parásita causado por iones Al en la solución, y que el fortalecimiento del tratamiento previo y el incremento del espesor de la capa de pasivación pueden suprimir este efecto.

Transistor de película delgada; remoción de fotorresiste; iones Al; efecto de puerta parásita; teoría de solución de problemas inventivos