Para mejorar eficazmente el rendimiento eléctrico de los transistores de película delgada flexibles, se utilizó a temperatura ambiente una estructura laminada que combina dos materiales de alta constante dieléctrica sobre un sustrato de poliimida (PI) en lugar de una capa única de Ta2O5 como dieléctrico de compuerta, usando HfO2 y Ta2O5. Las películas se prepararon mediante pulverización catódica con magnetrón y se estudió el efecto de la capa Ta2O5 en la estructura del dieléctrico laminado sobre el rendimiento eléctrico del dispositivo bajo diferentes duraciones de pulverización y relaciones oxígeno-argón. Se realizó una comparación entre dispositivos con dieléctrico de compuerta laminado HfO2/Ta2O5 y dispositivos con dieléctrico simple Ta2O5. Los resultados muestran que la capa dieléctrica Ta2O5 con una duración de pulverización de 1 hora y una relación oxígeno-argón de 10∶90 ofrece el mejor rendimiento eléctrico. La introducción de la estructura del dieléctrico laminado mejoró significativamente el rendimiento eléctrico del dispositivo, con una relación de conmutación de corriente de 1.27×10^6, un voltaje umbral de 9.1 V, una pendiente subumbral de 0.54 V/década, y una movilidad de portadores de 7.03 cm²/(V·s).

PI;dieléctrico laminado de compuerta;método de pulverización catódica;duración de pulverización;relación oxígeno-argón