Se estudiaron las propiedades de detección de gas dióxido de nitrógeno en películas de polímeros conjugados de tres componentes basados en bis(2-oxo dihidro-7-nitrógeno indol-3-sub), benzodifurandiona (BTNIDNBIBDF-50). Controlando la concentración del semiconductor, se reguló la morfología de la superficie de la película semiconductor para estudiar su efecto en la sensibilidad al gas dióxido de nitrógeno. A una concentración del polímero semiconductor BTNIDNBIBDF-50 de 2 mg/mL se mostró el mejor rendimiento de detección para el gas NO₂, con una sensibilidad al gas NO₂ con una fracción volumétrica de 10×10^-6 de 121.44%. Los resultados experimentales demostraron que el polímero conjugado de tres componentes BTNIDNBIBDF-50 exhibe características de semiconductor bipolar, que la reducción de la concentración del polímero semiconductor provoca una estructura porosa clara en la superficie de la película, mejorando la sensibilidad del sensor al gas NO₂. Sin embargo, un exceso de poros provoca que la tasa de desorción del gas sea mayor que la tasa de adsorción, lo que reduce la sensibilidad del sensor.

polímero conjugado de tres componentes; transistor de película delgada orgánica; sensor de gas; detección de dióxido de nitrógeno; semiconductor bipolar