Para obtener una fuente de luz basada en silicio con alta eficiencia cuántica, se preparó un arreglo de cavidades circulares de tamaño micrométrico en una oblea de silicio monocristalino utilizando un láser de pulsos nanosegundos, y se estudió el desempeño de la muestra después del tratamiento térmico a alta temperatura. Los puntos cuánticos formados dentro de las cavidades mostraron un pico fuerte de fotoluminiscencia alrededor de una longitud de onda de 710 nm. La muestra fue sometida a un tratamiento térmico a 1000 ℃, controlando el tiempo de recocido, y se compararon los espectros de fotoluminiscencia bajo diferentes potencias de excitación antes y después del recocido, observándose cambios en la radiación espontánea y estimulada. Además, después de 20 minutos de recocido, se midió la intensidad de la fotoluminiscencia en diferentes posiciones dentro de la cavidad, encontrando que la fotoluminiscencia más fuerte se localiza en los bordes, posiblemente relacionada con la alta concentración de puntos cuánticos emisores en esos bordes. Finalmente, se midió la eficiencia cuántica externa máxima de fotoluminiscencia (PL-EQE) dentro de la cavidad utilizando un método estándar de calibración de LED. Los resultados muestran que la eficiencia cuántica externa después del recocido puede alcanzar el 9,29%.

puntos cuánticos de silicio;fotoluminiscencia;tratamiento térmico a alta temperatura;eficiencia cuántica externa