Асимметричные характеристики релаксации оптического отскока при сверхвысоковольтном управлении жидкими кристаллами под ограничением толщины корпуса

SUN Haifeng ,  

CHEN Yali ,  

LIU Jiale ,  

LIU Xin ,  

SUN Jingwei ,  

YAO Lishuang ,  

摘要

Технология сверхвысоковольтного управления ускоряет отклик жидкокристаллических устройств, одновременно вызывая значительный оптический отскок. В данной работе на основе теории Эриксена-Лесли построена модель конечных разностей, раскрывающая физическую природу явления — асинхронное релаксационное поведение направляющего вектора в ограниченном пространстве. Моделируя пространственное распределение углов поворота и угловой скорости направляющего вектора устройства, обнаружено, что разница скоростей вращения между слоями, вызванная сверхвысоковольтным возбуждением, является микроскопическим источником оптического отскока. Исследуется влияние толщины корпуса (5~15 мкм) как геометрического параметра, раскрывающего закономерности эволюции асинхронной релаксации, ограниченной толщиной, и механизм регуляции асимметричных характеристик оптического отскока при режиме сверхвысоковольтного управления. Результаты моделирования и эксперимента совпадают, показывая противоположные тренды релаксации при постоянном напряжении: при недостаточном напряжении эластическая восстановительная сила ослабляется пропорционально квадрату толщины корпуса, что затрудняет подавление межслойной асинхронной релаксации; показатель глубины отскока (BDR) увеличивается с ~2% при 5 мкм до более 20% при 15 мкм; при сверхвысоком напряжении внутреннее электрическое поле ослабевает линейно с толщиной, уменьшая разницу угловых скоростей между слоями, и BDR снижается с 15.7% до менее 4%. После исключения влияния затухания управляющего поля через контрольный эксперимент с постоянным электрическим полем и моделирование со стабильными углами наклона, BDR монотонно возрастает с толщиной корпуса для всех режимов. Исследование с точки зрения асинхронной релаксации проясняет доминирующую роль толщины корпуса в формировании асимметричных оптических отскоков и предлагает теоретическую основу для оптимизации размеров высокоскоростных жидкокристаллических устройств.

关键词

технология сверхвысоковольтного управления;оптический отскок;разница угловых скоростей;асинхронная релаксация

阅读全文

以上内容由讯飞翻译自动生成,翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果,本网站不承担任何商业和法律责任。

The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website