摘要
Для решения проблемы низкой энергоэффективности кремниевых чипов с малыми размерами пикселей и недостаточной точности расчетов в скалярной дифракционной теории в данной работе проводится точный расчет и оптимизация энергоэффективности кремниевых чипов. Использованы скалярная дифракционная теория и метод конечных разностей во временной области (FDTD) для вычисления энергоэффективности кремниевых чипов, а также создана система лазерного тестирования с длиной волны 532 нм для экспериментальной проверки. Выбраны материалы TiO2/SiO2 для проектирования λ/4-многослойных высокоотражающих пленок, с помощью моделирования FDTD проанализировано влияние числа периодов пленки и длины волны на оптимизацию энергоэффективности. Результаты показывают, что для современных распространенных размеров пикселей (период пикселя 2~8 мкм) абсолютная ошибка между рассчитанной методом FDTD энергоэффективностью и экспериментальными результатами составляет менее 1%; многослойное покрытие эффективно повышает энергоэффективность чипа, и при достижении 5 периодов отражающей пленки энергоэффективность чипов с разными размерами пикселей в диапазоне длин волн 450~625 нм превышает 95%.
关键词
кремниевый чип;дифракционная эффективность;энергоэффективность;метод конечных разностей во временной области;многослойное высокоотражающее покрытие
以上内容由讯飞翻译自动生成，翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果，本网站不承担任何商业和法律责任。
The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website