Исследование прогресса в области тонкоплёночных транзисторов на основе оксидных полупроводников металлов с высокой подвижностью
摘要
Тонкоплёночные транзисторы на основе оксидных полупроводников металлов (MOS TFT) благодаря высокой подвижности носителей заряда (μ FE), крайне низкому току утечки в закрытом состоянии и однородности электрических характеристик на большой площади стали ключевой технологией для развития индустрии плоских и гибких дисплеев. После более 30 лет исследований аморфный индий-галлий-цинковый оксид (a-IGZO) первым заменил аморфный кремний (a-Si) в TFT. Тем не менее, для одновременного удовлетворения требований индустрии дисплеев к более высокой производительности, улучшенным показателям отображения (например, высокому разрешению и частоте обновления) и снижению энергопотребления необходимы MOS TFT с более высокой подвижностью. В статье с точки зрения физики твердого тела систематически рассматриваются исследования MOS TFT с применением многокомпонентных MOS-материалов для достижения высокой подвижности, а также обсуждается связь между подвижностью и стабильностью устройства. В заключение подводится итог текущему состоянию и тенденциям развития MOS TFT.
关键词
оксидные полупроводники металлов;тонкие плёнки транзисторов;подвижность носителей заряда;стабильность смещения
以上内容由讯飞翻译自动生成，翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果，本网站不承担任何商业和法律责任。
The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website