Изготовление и исследование характеристик тонкопленочного транзистора на основе цинк-оловянного оксида
摘要
Для улучшения характеристик тонкопленочного транзистора в данной работе на основе технологии радиочастотного магнетронного распыления использовался материал цинк-оловянного оксида (ZTO) в качестве канального слоя. Высокопроизводительные ZTO тонкопленочные транзисторы были изготовлены на подложке SiO2/p-Si. Влияние мощности распыления на морфологию поверхности и оптические свойства пленок ZTO изучалось методами AFM, XRD и UV-Vis. Электрические характеристики тонкопленочных транзисторов ZTO исследовались с помощью параметрического полупроводникового прибора, а анализ XPS применялся для изучения влияния мощности распыления на элементный состав и валентное состояние в пленках ZTO, что позволило изучить принцип работы высокопроизводительных тонкопленочных транзисторов. Экспериментальные результаты показали, что все образцы пленок ZTO имеют аморфную структуру, плотную поверхность и светопропускание более 90%. Умеренное увеличение мощности распыления может улучшить электрические характеристики тонкопленочных транзисторов ZTO. Транзисторы, изготовленные при мощности распыления 90 Вт, показали хорошие комплексные характеристики, с насыщенной подвижностью 15,61 см2/(В·с), субпороговым наклоном 0,30 В/декаду, пороговым напряжением -5,06 В и коэффициентом включения тока 8,92×109.
关键词
тонкопленочный транзистор; мощность распыления; анализ XPS; пленка ZTO
以上内容由讯飞翻译自动生成，翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果，本网站不承担任何商业和法律责任。
The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website