Галлий нитрид как материал для светодиодов третьего поколения значительно превосходит по своим характеристикам первое поколение на основе кремния и второе поколение на основе арсенида галлия. Устройства Micro-LED на основе нитрида галлия также вызывают всё больший интерес. Однако светодиоды, выращенные на традиционной c-плоскости, имеют некоторые собственные дефекты, которые приводят к низкой эффективности излучения в реальных приложениях, такие как квантованный ограниченный эффект Старка, зелёная щель, перенос носителей и другие проблемы. LED на неполярных или полуполярных подложках не имеют поляризационного электрического поля, обладают высокой внутренней квантовой эффективностью и высокой вероятностью рекомбинации электронов и дырок, что вызвало большой интерес к исследованию и применению неполярных и полуполярных Micro-LED устройств. В данной статье представлен обзор состояния исследований неполярных и полуполярных Micro-LED устройств. Сначала рассматриваются преимущества нитридногаллия неполярного и полуполярного типов по четырём аспектам: квантованный ограниченный эффект Старка, зелёная щель, перенос носителей и снижение эффективности. Далее обсуждаются проблемы, связанные с дефектными дислокациями, увеличением эффективности извлечения света и реализацией полноцветного отображения при разных плотностях тока, включая такие технологии как формирование чипов, паттерн-литография и массивы. В заключение рассматривается перспектива Micro-LED как лидера следующего поколения дисплеев. Надеемся, это поможет в дальнейшем исследовании Micro-LED.

нитрид галлия;Micro-LED;неполярный;полуполярный