С развитием технологий дисплеев возрастает спрос на тонкопленочные транзисторы (Thin Film Transistor, TFT) с высокой производительностью и стабильностью. Методы улучшения характеристик тонкопленочных транзисторов за счет кристаллизации вызывают большой интерес. В настоящее время материалы на основе оксидов индия, галлия и цинка (IGZO) широко используются в каналах тонкопленочных транзисторов благодаря высоким подвижностям, хорошей гибкости и высокой прозрачности. Улучшение кристаллической структуры слоя канала IGZO также стало предметом исследований. В статье обобщены достижения в области IGZO-тонкопленочных транзисторов с кристаллической структурой, подробно описывается кристаллическая структура соединений IGZO с акцентом на монокристаллы, кристаллизацию с ориентацией по оси c, гексагональную поликристаллическую форму, шпинельную фазу, нанокристаллы и первичное кристаллизационное состояние IGZO, а также методы изготовления, характеристики и стабильность устройств. Проведен глубокий анализ микроструктуры, подведены итоги физических свойств, описаны механизмы кристаллизации различных кристаллических систем, установлена связь между кристаллической структурой и электрическими свойствами, и сделан обзор перспектив развития кристаллических IGZO-тонкопленочных транзисторов.

кристаллический IGZO; тонкопленочные транзисторы; кристаллическая структура; исследования прогресса