В процессе травления затвора тонкоплёночного транзистора (Thin film transistor, TFT) в зоне отображения (зона AA) и зоне вывода (зона Fanout) из-за различий в плотности разводки возникает эффект нагрузки травления, что приводит к большой разнице в степени травления и затрудняет определение времени травления. Подавление эффекта нагрузки травления в процессе травления затвора имеет важное значение для обеспечения качества. В статье проанализирован микроскопический процесс влажного травления и предложена схема увеличения потока распыления травильного раствора для подавления эффекта нагрузки. Схема увеличения потока распыления была преобразована в регулировку пропорций времени травления в трёх камерах травления (Etch1~Etch3). При неизменном общем времени травления проведена валидация различных пропорций времени в трёх камерах, а результаты травления были подвергнуты кластерному анализу. В итоге была оптимизирована пропорция времени для подавления эффекта нагрузки травления, и результаты проанализированы с помощью нейронных сетей. Экспериментальные результаты показали, что снижение пропорции времени Etch3 и увеличение пропорции времени Etch2 позволяет подавить эффект нагрузки травления. Пропорция времени Etch1~Etch3 была скорректирована с 33.33%∶33.33%∶33.33% до 10%∶80%∶10%, разница в степени травления между зоной AA и зоной fanout снизилась с 0.575 мкм до 0.317 мкм. Регулируя пропорции времени трёх зон травления, можно подавить эффект нагрузки травления, смягчить разницу в степени травления между зонами и удовлетворить требования массового производства TFT.

затвор;влажное травление;эффект нагрузки;кластерный анализ;нейронная сеть