Изготовление микросветодиодного чипа на основе нитрида галлия с высоким разрешением и активным управлением
摘要
В данной статье разработан и изготовлен микросветодиодный чип на основе нитрида галлия с разрешением 1920×1080. Метод однократного травления ICP (индуктивно-связанная плазма) был использован для паттернирования слоя расширения тока и травления столика, что обеспечило самовыравнивание слоя расширения тока и столика. При производстве использовался HMDS (гексаметилдисилоксан) для улучшения адгезии фотошаблона, что кардинально повысило однородность и целостность травления столика малого размера. Кроме того, за счет поднятия N-типа электрода была решена проблема разной высоты электродов P-типа и N-типа в традиционных перевёрнутых чипах, что улучшает связывание чипа дисплея с чипом драйвера. Размер чипа составляет 17.78 мм (0.7 дюйма), размер светоизлучающего элемента — 6 мкм, период пикселя — 8 мкм, плотность пикселей достигает 3129 PPI. Данные I-V теста показывают, что напряжение включения изготовленного Micro-LED составляет всего 3.5 В.
关键词
Micro-LED;высокое разрешение;перевёрнутый чип;травление
以上内容由讯飞翻译自动生成，翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果，本网站不承担任何商业和法律责任。
The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website