В статье представлены подготовка устройства тонкоплёночного транзистора (TFT) на подложке из поливинилового спирта (PVA), анализ электрических характеристик и демонстрация свойств растворимости устройства. В устройстве используется высокодиэлектрический материал оксид гафния (HfO₂) в качестве изоляционного слоя, легированный алюминием оксид цинка (AZO) в качестве активного слоя, алюминий в качестве затвора, истока и стока. С помощью метода физического осаждения из паровой фазы с магнитным напылением при низкой температуре (PVD) успешно был изготовлен TFT с высокодиэлектрическим (высоким k) изоляционным слоем на подложке PVA, и была выполнена дальнейшая оптимизация структуры изоляционного слоя: использована слойка из оксида гафния (HfO₂) и оксида алюминия (Al₂O₃). Результаты показывают, что TFT с многослойным изоляционным слоем превосходит однослойную структуру с оксидом гафния по многим параметрам: меньший ток утечки, более высокое отношение включения/выключения, меньший подзатворный наклон, что делает её более подходящей в качестве изоляционного слоя для TFT на подложке из PVA. Соотношение включения/выключения устройства с "сэндвич" многослойной изоляцией достигает 2.5×10⁶, пороговое напряжение 10.6 В, подзатворный наклон 0.53 В·dec^-1, подвижность носителей 3.01 см²·В^-1·с^-1.

тонкоплёночный транзистор;переходная электроника;поливиниловый спирт (PVA);растворимый;многослойный изоляционный слой