В процессе изготовления общего электрода тонкопленочного транзистора (TFT) у части образцов TFT наблюдается аномально высокий ток утечки (I_off). Эти образцы проходили обработку на одном и том же оборудовании для удаления фоторезиста, из-за чего оборудование было остановлено, что привело к потере производительности. Определение и устранение причин повышения тока утечки, вызванного этим оборудованием для удаления, имеет важное значение для обеспечения производственных мощностей и качества. В начале работы были собраны растворы для удаления как с проблемного, так и с нормального оборудования и проведен их химический анализ, который показал повышенное содержание ионов Al в растворе с проблемного оборудования. Далее было установлено, что I_off TFT увеличивается с ростом количества обработанных чипов на проблемном оборудовании. Причина в том, что ионы Al образуют частицы Al2O3 в процессе удаления, которые оседают на пассивационном слое TFT, вызывая эффект паразитного затвора, что в конечном итоге приводит к увеличению I_off. Наконец, были использованы решения, основанные на методологии TRIZ, оптимизированы и проверены на практике. Экспериментальные результаты показывают, что при увеличении концентрации ионов Al в растворе для удаления с 1×10^-8 до 2,189×10^-6 I_off повышается с 3,56 пА до 7,56 пА. При наличии ионов Al и увеличении количества удалений I_off демонстрирует тенденцию к росту. Усиление мощности плазменной обработки перед формированием пассивационного слоя и увеличение толщины пленки способны подавить рост I_off. Таким образом, можно заключить, что причиной повышения I_off у оборудования для удаления является эффект паразитного затвора, вызванный ионами Al в растворе, а усиление предварительной обработки и увеличение толщины пассивационного слоя могут подавить этот эффект.

Тонкопленочный транзистор; удаление фоторезиста; ионы Al; эффект паразитного затвора; теория решения изобретательских задач