Для эффективного повышения электрических характеристик гибких тонкоплёночных транзисторов при комнатной температуре использовали многослойную структуру, состоящую из двух материалов с высоким диэлектрическим постоянным на подложке из полиимидного (PI) материала, вместо однослойного Ta2O5 в качестве затворного диэлектрика, включая HfO2 и Ta2O5. Пленки были изготовлены методом магнитного распыления, исследовано влияние слоя Ta2O5 в структуре многослойного затворного диэлектрика на электрические характеристики устройства при различных временах распыления и соотношениях кислород-аргон. Проведено сравнение устройств с многослойным затворным диэлектриком HfO2/Ta2O5 и однослойным диэлектриком Ta2O5. Результаты показали, что слой Ta2O5 при времени распыления 1 час и соотношении кислород-аргон 10:90 обеспечивает наилучшие электрические характеристики устройства. Введение многослойной структуры затворного диэлектрика значительно улучшило электрические характеристики, с коэффициентом переключения тока 1.27×10^6, пороговым напряжением 9.1 В, подзапаздывающим колебанием 0.54 В/дек, и подвижностью носителей заряда 7.03 см²/(В·с).

PI;многослойный затворный диэлектрик;магнитное распыление;время распыления;соотношение кислород-аргон