Текущие фотоэлектрические характеристики полимерных стабилизированных жидкокристаллических устройств еще полностью не удовлетворяют практическим требованиям интеллектуальных окон. Свойства материала являются ключевым фактором, определяющим производительность жидкокристаллических устройств, поэтому в данной статье основное внимание уделяется тенденции влияния двух основных параметров отрицательных жидкокристаллических материалов — диэлектрической анизотропии и двойного лучепреломления — на фотоэлектрические характеристики полимерных стабилизированных жидкокристаллических устройств, а также даются соответствующие оптимальные параметры. В работе применяются экспериментальные и симуляционные методы исследования: сначала изготавливаются полимерные стабилизированные жидкокристаллические устройства с отрицательными жидкокристаллическими материалами с различными параметрами для изучения влияния диэлектрической анизотропии на фотоэлектрические характеристики устройств. Затем с помощью симуляции исследуется влияние двойного лучепреломления отрицательных жидкокристаллических материалов на фотоэлектрический эффект устройств. В конце комплексный анализ экспериментальных и симуляционных результатов позволяет определить оптимальные параметры отрицательных жидкокристаллических материалов. Результаты показывают, что с увеличением диэлектрической анизотропии жидкокристаллические молекулы легче управляются электрическим полем, а фотоэлектрические характеристики устройств улучшаются. При фиксированном двойном лучепреломлении полимерной стабилизированной сети, когда параметры двойного лучепреломления отрицательного жидкокристаллического материала составляют nₑ=1.49 и nₒ=1.593, достигается оптимальная мутность. Эти результаты могут служить теоретическим руководством для оптимизации характеристик полимерных стабилизированных жидкокристаллических устройств и их промышленного развития.

Полимерные стабилизированные жидкокристаллические устройства;интеллектуальные окна;отрицательные жидкие кристаллы;фотоэлектрические характеристики