Для получения кремниевого источника света с высокой квантовой эффективностью была изготовлена микрометровая матрица круглых полостей на монокристаллическом кремниевом диске с помощью наносекундного импульсного лазера, проведено исследование характеристик образца после высокотемпературной отжиговой обработки. Внутри полостей сформировались квантовые точки с сильным пиковым фотолюминесцентным излучением около длины волны 710 нм. Образец подвергали высокотемпературному отжигу при 1000 ℃, контролируя время отжига, сравнивали спектры фотолюминесценции при различных мощностях возбуждающего света до и после отжига, наблюдались изменения спонтанного и индуцированного излучения. Также при отжиге 20 минут измеряли интенсивность фотолюминесценции в разных точках полости, обнаружив, что самая сильная фотолюминесценция была на краях полости, что может быть связано с большим количеством квантовых точек, светящихся на краях. Наконец, максимальная внешняя квантовая эффективность фотолюминесценции (PL-EQE) в полостях была измерена стандартным методом калибровки светодиодов. Результаты показали, что после отжига внешняя квантовая эффективность в полостях достигает 9,29%.

кремниевые квантовые точки;фотолюминесценция;высокотемпературный отжиг;внешняя квантовая эффективность