Este estudo compara sistematicamente as características dos materiais, o desempenho dos filmes finos e a aplicação em dispositivos de exibição do novo alvo de óxido de índio-estanho com baixa água (W-ITO) com o alvo tradicional de óxido de índio-estanho (N-ITO). A estrutura do material mostra que o W-ITO compensa as lacunas de oxigênio através da introdução de 0,10 at.% de um elemento metálico em traços, inibindo o problema de partículas contaminantes induzidas pela água durante o recozimento; o diâmetro das partículas de segunda fase difíceis de pulverizar (2,02 μm) e a proporção de área (16,80%) são significativamente menores do que no N-ITO, reduzindo na fonte o fenômeno do arco elétrico. Em relação ao desempenho após a deposição por magnetron sputtering, o W-ITO apresenta melhor média de resistência de superfície, boa estabilidade da resistividade, alta qualidade de cristalização e alta transmitância, além de uma taxa de gravação úmida mais rápida, superfície mais limpa e menor perfuração, favorecendo a preparação de padrões de alta precisão. Na aplicação em transistores de filme fino (TFT), os dispositivos baseados em eletrodos W-ITO apresentam características elétricas padrão, com curvas de transferência suaves e sem torções que comprovam indiretamente a alta qualidade da interface eletrodo/camada ativa. Após a integração e encapsulamento em painel de vidro, os produtos finais exibem excelente contraste óptico, curva gama, retenção de imagem, resistência à descarga eletrostática e consumo de energia, validando a melhoria no desempenho geral e na confiabilidade do painel de exibição proporcionada pelo eletrodo W-ITO. Por fim, dados de produção em massa confirmam que o uso do alvo W-ITO pode aumentar significativamente a taxa de rendimento do primeiro lote de deposição de ITO (~0,14%), reduzir a taxa de reparo de defeitos de deposição secundária (~0,37%) e prolongar efetivamente os ciclos de manutenção do equipamento, trazendo benefícios econômicos significativos. Este estudo fornece suporte teórico e experimental sistemático para a seleção de materiais ITO de alta confiabilidade e alto desempenho e para a otimização dos processos de produção em massa.

óxido de índio-estanho; magnetron sputtering; transistor de filme fino; painel de vidro; taxa de rendimento