Os transistores de filme fino de semicondutores de óxido (Oxide Semiconductor Thin-film Transistor, OS TFT), devido à sua alta mobilidade, excelente uniformidade e baixo custo de fabricação, tornaram-se componentes principais nas tecnologias avançadas de exibição e estão se expandindo gradualmente para campos de sistemas integrados, como sensores, armazenamento e computação neuromórfica. Este artigo realiza uma análise sistemática dos artigos científicos e dados de patentes no campo de OS TFT entre 2016 e 2025, com base nas bases de dados Web of Science e Incopat. A pesquisa constatou que as atividades globais de P&D estão altamente concentradas na região do Leste Asiático, sendo a China e a Coreia do Sul líderes na produção de artigos e patentes. No entanto, existe um desequilíbrio claro entre academia e indústria: mais de 90% dos artigos são provenientes de universidades e institutos de pesquisa, enquanto 81,01% das patentes pertencem a empresas, indicando insuficiente transferência entre pesquisa acadêmica e industrial. Além disso, a concentração de patentes é baixa e as barreiras tecnológicas ainda não foram formadas; os materiais-chave para sputtering continuam sob domínio do Japão (54,55%), representando um risco potencial para a segurança da cadeia industrial chinesa. No futuro, o OS TFT ultrapassará seu papel tradicional como controlador de exibição e se integrará profundamente com áreas como sensores, armazenamento e computação neuromórfica. Este artigo analisa as tendências de desenvolvimento e os problemas existentes nessas áreas.

transistores de filme fino de semicondutores de óxido; exibição; sensor; armazenamento; computação neuromórfica