Fenômeno do padrão arco-íris na área de furos da tela OLED causado pela mudança do filme SiON no TFE

CAI Hankun ,  

YANG Jinjin ,  

LI Zuobin ,  

TU Qiumei ,  

ZHANG Guofeng ,  

摘要

Nos últimos anos, com o desenvolvimento da tendência de afinamento dos celulares e o aumento das exigências de confiabilidade, a proporção de aparecimento do fenômeno de padrão arco-íris na área de furos das telas OLED (Diodo Orgânico Emissor de Luz) tem aumentado significativamente. Este artigo analisa qualitativa e quantitativamente as causas do fenômeno de padrão arco-íris na área de furos das telas OLED e, com base nisso, estabelece um conjunto relativamente completo de métodos multidimensionais de análise e teste que podem se cruzar para verificar os resultados. A otimização adicional da estrutura e composição da camada de encapsulamento de filme fino (Thin Film Encapsulation, TFE) pode reduzir ao máximo o risco de manchas escuras relacionadas ao padrão arco-íris na área dos furos após testes de confiabilidade. Através de fragmentos, analisou-se as áreas e posições onde ocorrem os padrões arco-íris na área dos furos sob condições de alta temperatura e umidade; e as causas do fenômeno na área dos furos foram analisadas sistematicamente usando microscopia eletrônica de transmissão (TEM), espectrometria de íons secundários por tempo de voo (TOF-SIMS) e espectroscopia de fotoelétrons de raios X (XPS). Os resultados experimentais mostraram que o SiON no CVD1 (Deposição Química de Vapor 1) sob condições de alta temperatura e umidade se transforma gradualmente na camada de SiO. Os resultados de TEM e TOF-SIMS indicam que o teor de nitrogênio na camada oxidada é inferior a 2%; os resultados da decomposição de picos de XPS mostram que o SiON na superfície do CVD1-2 foi quase completamente convertido em camada de SiO. Ao aumentar o índice de refração da camada SiON do CVD1-1 no TFE de 1,72 para 1,76, a profundidade de oxidação da camada SiON do CVD1-1 diminuiu 70%. O estabelecimento deste método de análise não apenas explica que o SiO gerado após a oxidação da camada CVD na área dos furos é a causa do fenômeno do padrão arco-íris, mas também propõe o impacto da área do padrão arco-íris na confiabilidade da área dos furos do painel OLED. Essa estratégia oferece uma solução para as futuras aplicações de telas OLED em áreas com requisitos de confiabilidade mais elevados, como automotivo, TI (Tecnologia da Informação), painéis publicitários, etc.

关键词

fenômeno do padrão arco-íris;tela OLED com furos;encapsulamento de filme fino;nitreto de silício;óxido de silício

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