Análise das causas do defeito de curto-circuito fonte-porta em TFT de óxido e medidas de supressão

LIU Dan ,  

FAN Xiaojun ,  

CEHN Wei ,  

LIU Wei ,  

LIU Chuan ,  

DU Hongwei ,  

YANG Sheng ,  

WU Xu ,  

MIN Taiye ,  

WANG Zhangtao ,  

ZHANG Haoxiong ,  

SHEN Wei ,  

WANG Niannian ,  

XIONG Yong ,  

HUANG Zhonghao ,  

摘要

O defeito de curto-circuito fonte-dreno em TFT de óxido (Thin Film Transistor) (DGS - Gate Data Short) causa a deterioração da qualidade da exibição e o descarte do produto. Esclarecer o princípio do DGS, identificar os fatores influentes e apresentar soluções é de importância positiva para garantir o rendimento e a qualidade do produto. Este artigo primeiramente confirma os fenômenos macroscópicos e a morfologia microscópica do DGS, posteriormente investiga a relação entre a perda dielétrica e a resistência à tensão da camada isolante da porta (Gate Insulator, GI), estatisticamente avalia a taxa de ocorrência de DGS em diferentes produtos durante experimentos de deterioração por iluminação e esclarece o impacto da tensão da porta e da taxa de atualização no DGS. Ao combinar os fenômenos experimentais com o mecanismo do DGS estudado, analisa as razões pelas quais o DGS do TFT de óxido é maior do que o do TFT de silício amorfo. Os resultados indicam que a essência do DGS é a ruptura dielétrica do GI causada pela insuficiente resistência à tensão. A perda dielétrica do GI, a tensão da porta e a taxa de atualização são fatores significativos que afetam o DGS. Esses fatores, na interação com a difusão de cobre e o mecanismo de migração elétrica, reduzem a espessura efetiva do GI, aumentam o risco de ruptura térmica do GI, provocando finalmente o DGS. Duas medidas viáveis na linha de produção para suprimir o DGS são: reduzir a proporção da espessura de SiOx no GI empilhado para diminuir a perda dielétrica e suprimir a ruptura térmica; reduzir a tensão da porta TFT para suprimir a difusão e migração de íons de cobre. As medidas acima foram testadas experimentalmente como soluções de melhoria, reduzindo a taxa de ocorrência de DGS no painel em 73%. A solução conseguiu suprimir com sucesso a ocorrência de DGS no painel de óxido, melhorando a qualidade do produto e fornecendo uma referência para a otimização do processo do TFT de óxido.

关键词

óxido de índio-gálio-zinco;transistor de filme fino;migração elétrica;ruptura dielétrica

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