Para investigar o efeito da atmosfera de recozimento no desempenho dos transistores de filme fino de óxido de magnésio e zinco (MgZnO), este artigo utilizou o método de pulverização por magnetron RF para preparar filmes MgZnO, que foram usados como camada de canal na construção de dispositivos MgZnO-TFT com estrutura de porta inferior e contatos superiores. Os filmes MgZnO preparados foram submetidos a tratamentos de recozimento a 500 ℃ por 1 hora em quatro atmosferas diferentes: ar, vácuo, oxigênio e nitrogênio. Os filmes foram caracterizados por microscopia de força atômica (AFM) e espectroscopia de fotoelétrons de raios X (XPS). Os resultados mostraram que o recozimento em atmosfera de vácuo produziu filmes MgZnO de melhor qualidade e o desempenho do dispositivo foi o melhor, com mobilidade de efeito de campo de 0,29 cm²·V^-1·s^-1, tensão limiar de 2,28 V, inclinação sub-limiar de 3,6 V·dec^-1 e relação de corrente on/off de 1,68×10⁶. A análise sugere que isso pode ser devido ao recozimento em atmosfera de vácuo poder isolar parcialmente interferências externas, evitando efetivamente a formação de defeitos na camada ativa do filme. Também estudamos a estabilidade dos dispositivos sob estresse de polarização positiva (PBS) e negativa (NBS). Os TFT mostraram boa estabilidade sob diferentes tensões de polarização da porta. Sob tensão de polarização positiva de 10 V e tempo de estresse de 3000 s, o desvio da tensão limiar do MgZnO-TFT otimizado por recozimento em atmosfera de vácuo diminuiu de 1,38 V para 0,54 V em comparação com o ZnO-TFT. Os resultados indicam que a dopagem de magnésio no óxido de zinco para preparar filmes MgZnO como camada ativa do TFT melhora em certa medida a estabilidade elétrica dos dispositivos.

MgZnO-TFT;atmosfera de recozimento;XPS;estabilidade